RVL2000 系統(tǒng)由四柵 LEED 光學(xué)組件、熒光觀察屏和低剖面電子槍組成。其光學(xué)系統(tǒng)采用高透過(guò)率（每柵 83%）的鎢柵精密對(duì)準(zhǔn)，具有 103° 的廣視角。電子槍直徑僅為 1.59 cm，支撐結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊，最大限度減少了對(duì) LEED 圖像的遮擋。同時(shí)，該電子槍可在 100 eV 下輸出高達(dá) 2 μA 的束流電流，在俄歇模式下可達(dá) 50 μA。
光學(xué)組件可選固定式或可伸縮式幾何結(jié)構(gòu)。
固定式光學(xué) 安裝于 6.0 英寸或 8.0 英寸外徑 CF 法蘭，標(biāo)準(zhǔn)法蘭到樣品距離為 8.0 或 10.0 英寸。
伸縮式光學(xué) 安裝于 8.0 英寸 CF 法蘭，標(biāo)準(zhǔn)配置有兩種版本：
10 英寸樣品距法蘭距離，行程 2.0 英寸；
8 英寸樣品距法蘭距離，行程 1.8 英寸。
光學(xué)移動(dòng)由單一螺桿驅(qū)動(dòng)，通過(guò)三個(gè)高精度線(xiàn)性軸承實(shí)現(xiàn)真空腔內(nèi)平穩(wěn)位移，螺桿由與光軸垂直安裝的 UHV 級(jí)旋轉(zhuǎn)進(jìn)給器驅(qū)動(dòng)，確保 LEED 圖案觀察不受阻擋。
系統(tǒng)性能特點(diǎn)
精密四柵鎢絲光學(xué)結(jié)構(gòu)
微型 1.59 cm 直徑電子槍
103° 可用觀察角度
< 0.5% 能量分辨率（特別適用于俄歇分析）
提供可伸縮光學(xué)版本
法蘭集成觀察窗與電氣進(jìn)線(xiàn)接口
全面兼容 UHV 與系統(tǒng)烘烤
標(biāo)準(zhǔn) LEED 控制電子學(xué)系統(tǒng)（RVL/SE 型號(hào)）
控制電子槍燈絲、電子束能量及聚焦
控制二次電子抑制電壓與熒光屏高壓
電子槍能量與聚焦可通過(guò)手動(dòng)旋鈕或模擬計(jì)算機(jī)輸入進(jìn)行調(diào)節(jié)
抑制電極獨(dú)立供電以控制圖案對(duì)比度
十圈電位器精確調(diào)節(jié)電子束能量、抑制電壓、聚焦與發(fā)射電流
前面板數(shù)字讀出：可讀取所有電子槍與電極電壓、電流參數(shù)
低能量運(yùn)行（<100 eV）時(shí)使用電子槍減速電壓設(shè)計(jì)，相比等勢(shì)槍可獲得更高電流輸出
適用于低電流應(yīng)用場(chǎng)合：LEED 光學(xué)系統(tǒng)可選配雙微通道板（MCP）探測(cè)系統(tǒng)（型號(hào) RVL2000/8/MCP）
RVL2000/8/R LEED 技術(shù)規(guī)格
光學(xué)系統(tǒng)：
四柵設(shè)計(jì)（4-Grid Design）：在俄歇操作過(guò)程中可實(shí)現(xiàn)更高分辨率（<0.5%）。
柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)（Grid Construction）：鎢絲排布為 3.94 條線(xiàn)/毫米（線(xiàn)徑 0.025 毫米），對(duì)準(zhǔn)方式優(yōu)化以最小化莫爾干涉效應(yīng)。
透過(guò)率（Transmission）：每柵透過(guò)率為 83%，整體透過(guò)率為 47%。
幾何結(jié)構(gòu)（Geometry）：120° 立體角接受范圍。
集電器（Collector）：使用高光學(xué)質(zhì)量的接地 Pyrex（硼硅酸鹽）玻璃觀察屏，具備 103° 視場(chǎng)角；表面帶透明 SnO? 導(dǎo)電涂層，并均勻覆蓋標(biāo)準(zhǔn) P20 熒光粉。
電子槍?zhuān)?/strong>
電子束直徑（Beam Diameter）：在樣品位置小于 1 毫米。
電子束電流（Beam Current）：使用鎢燈絲時(shí)，在 500 eV 加速電壓下電流為 5 微安（可選配 LaB? 燈絲）。
幾何結(jié)構(gòu)（Geometry）：同心安裝設(shè)計(jì)。小直徑（1.59 厘米）的電子槍及其支架結(jié)構(gòu)可最大限度減少對(duì)觀察屏的干擾。
光學(xué)組件安裝：
安裝于標(biāo)準(zhǔn) 8.0 英寸 CF 法蘭，法蘭面至焦點(diǎn)距離為 203.2 mm（8 英寸）
外部配有 μ 金屬屏蔽層
所有電氣連接均為 UHV 烘烤兼容進(jìn)線(xiàn)接口
伸縮行程為 50.8 mm（2 英寸），由旋轉(zhuǎn)進(jìn)給器驅(qū)動(dòng)
RVL/SE 控制電子學(xué)詳細(xì)參數(shù)
| 參數(shù)項(xiàng) | 范圍 |
|---|---|
| 束電壓（Beam Voltage） | 0 – 1500 V（手動(dòng)或遠(yuǎn)程控制） |
| 聚焦電壓（Focus Voltage） | 0 – 束電壓的 100% |
| 燈絲電源 | 0 – 3 A |
| 抑制電極電壓 | 相對(duì)于束電壓 0 – 100 V |
| 減速電壓 | 0 – 100 V |
| 熒光屏高壓 | 1 – 5 kV |
反視型 LEED/Auger 組合系統(tǒng)
利用 LK Technologies 的 LEED 光學(xué)系統(tǒng)搭配 RVL/AES 控制器，可輕松進(jìn)行**減速場(chǎng)分析（RFA）型俄歇電子能譜（AES）**測(cè)試。該控制器為一體化設(shè)計(jì)，集成了執(zhí)行高質(zhì)量 AES 測(cè)量所需的全部電子模塊，圖示為硅材料的典型測(cè)試結(jié)果。俄歇能譜的工作能量分辨率優(yōu)于 0.5%。
與其他系統(tǒng)不同，RVL/AES 控制器內(nèi)置鎖相放大器，專(zhuān)用于俄歇模式，無(wú)需像其他商業(yè)系統(tǒng)那樣配置多達(dá)五個(gè)模塊，既降低了成本，又避免了繁瑣的系統(tǒng)集成。此外，RVL/AES 還采用特殊濾波系統(tǒng)和高靈敏前置放大器，實(shí)現(xiàn)了RFA 模式下業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的信噪比性能。
