離子源 NGI3000 濺射蝕刻系統(tǒng)、離子槍與控制電子設(shè)備 通過離子濺射進(jìn)行表面清洗 離子散射譜(ISS)光譜分析

LK TechnologiesNGI3000離子槍及其控制電子設(shè)備,專為通過離子濺射進(jìn)行表面清洗而設(shè)計(jì),束能最高可達(dá) 3 keV,離子電流最高 25 μA。該離子槍采用了一種創(chuàng)新的氣體注入系統(tǒng),使得在典型腔體壓力 1 × 10?? Torr 下即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的濺射過程。

這一技術(shù)大大降低了氣體負(fù)載,相較于傳統(tǒng)離子槍(通常需將腔體回充至約 5 × 10?? Torr),可顯著縮短抽氣時(shí)間,并減少因氣體雜質(zhì)帶來的問題

該氣體注入系統(tǒng)還使 NGI3000 可直接用于 離子散射譜(ISS 及其他離子光譜分析,無需昂貴的差動(dòng)抽氣裝置。在標(biāo)準(zhǔn)配置下,離子槍可發(fā)出寬離子束,確保對(duì)樣品的均勻?yàn)R射,滿足多數(shù)樣品清潔應(yīng)用的要求。

一個(gè)完整的濺射蝕刻系統(tǒng)通常包括:

  • NGI3000 離子槍

  • NGI3000-SE 控制電子設(shè)備

  • NGI3000-LV 泄漏閥

該系統(tǒng)性價(jià)比高,并提供兩種標(biāo)準(zhǔn)槍體長(zhǎng)度(詳見尺寸圖),可廣泛應(yīng)用于各類常規(guī)濺射清洗及 ISS 分析任務(wù)。

性能特點(diǎn)

  • 專利氣體注入系統(tǒng),無需昂貴的差動(dòng)抽氣設(shè)備

  • 惰性氣體濺射,低腔體壓力(約 10?? Torr)

  • 寬離子束,實(shí)現(xiàn)均勻?yàn)R射

  • 與常規(guī)的濺射清洗及 ISS 應(yīng)用兼容

  • 束電壓連續(xù)可調(diào),最高至 3 kV

性能數(shù)據(jù)

表 1:樣品電流與束電壓(槍距 2.5 cm,發(fā)射電流 20 mA)

束電壓 (kV)樣品電流 (μA)
0.5012
1.0019
2.0025
3.00*28*

* 電流密度超過 100 μA/cm2


表 2:束斑直徑與槍-樣品距離

槍距 (cm)束斑直徑 (FWHM) (mm)
1.56
2.58
14.030

技術(shù)參數(shù)

  • 束電壓:0.1 – 3 kV,連續(xù)可調(diào)

  • 離子源類型:電子轟擊提取型

  • 燈絲:可更換,釷鎢絲(thoriated iridium)

  • 束電流:額定最大 25 μA,發(fā)射電流 20 mA,電流密度 > 100 μA/cm2

  • 束直徑:高斯形束斑,隨目標(biāo)距離變化,典型值為 2.5 cm 時(shí)約 8 mm

  • 安裝法蘭:2.75 英寸外徑 CF 法蘭,帶 4 個(gè) SHV 接頭

  • 氣體進(jìn)氣口:法蘭上集成泄漏閥

  • 離子源工作壓力:約 5 × 10?? Torr

  • 腔體工作壓力:約 1 × 10?? Torr(150 L/s 抽氣系統(tǒng))

  • 差動(dòng)抽氣:不需要

  • 控制電子設(shè)備:機(jī)架安裝,前面板可調(diào)束電壓與發(fā)射電流,帶電流測(cè)量功能


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