RVL2000 系統由四柵 LEED 光學組件、熒光觀察屏和低剖面電子槍組成。其光學系統采用高透過率（每柵 83%）的鎢柵精密對準，具有 103° 的廣視角。電子槍直徑僅為 1.59 cm，支撐結構設計緊湊，最大限度減少了對 LEED 圖像的遮擋。同時，該電子槍可在 100 eV 下輸出高達 2 μA 的束流電流，在俄歇模式下可達 50 μA。
光學組件可選固定式或可伸縮式幾何結構。
固定式光學 安裝于 6.0 英寸或 8.0 英寸外徑 CF 法蘭，標準法蘭到樣品距離為 8.0 或 10.0 英寸。
伸縮式光學 安裝于 8.0 英寸 CF 法蘭，標準配置有兩種版本：
10 英寸樣品距法蘭距離，行程 2.0 英寸；
8 英寸樣品距法蘭距離，行程 1.8 英寸。
光學移動由單一螺桿驅動，通過三個高精度線性軸承實現真空腔內平穩位移，螺桿由與光軸垂直安裝的 UHV 級旋轉進給器驅動，確保 LEED 圖案觀察不受阻擋。
系統性能特點
精密四柵鎢絲光學結構
微型 1.59 cm 直徑電子槍
103° 可用觀察角度
< 0.5% 能量分辨率（特別適用于俄歇分析）
提供可伸縮光學版本
法蘭集成觀察窗與電氣進線接口
全面兼容 UHV 與系統烘烤
標準 LEED 控制電子學系統（RVL/SE 型號）
控制電子槍燈絲、電子束能量及聚焦
控制二次電子抑制電壓與熒光屏高壓
電子槍能量與聚焦可通過手動旋鈕或模擬計算機輸入進行調節
抑制電極獨立供電以控制圖案對比度
十圈電位器精確調節電子束能量、抑制電壓、聚焦與發射電流
前面板數字讀出：可讀取所有電子槍與電極電壓、電流參數
低能量運行（<100 eV）時使用電子槍減速電壓設計，相比等勢槍可獲得更高電流輸出
適用于低電流應用場合：LEED 光學系統可選配雙微通道板（MCP）探測系統（型號 RVL2000/8/MCP）
RVL2000/8/R LEED 技術規格
光學系統：
四柵設計（4-Grid Design）：在俄歇操作過程中可實現更高分辨率（<0.5%）。
柵網結構（Grid Construction）：鎢絲排布為 3.94 條線/毫米（線徑 0.025 毫米），對準方式優化以最小化莫爾干涉效應。
透過率（Transmission）：每柵透過率為 83%，整體透過率為 47%。
幾何結構（Geometry）：120° 立體角接受范圍。
集電器（Collector）：使用高光學質量的接地 Pyrex（硼硅酸鹽）玻璃觀察屏，具備 103° 視場角；表面帶透明 SnO? 導電涂層，并均勻覆蓋標準 P20 熒光粉。
電子槍：
電子束直徑（Beam Diameter）：在樣品位置小于 1 毫米。
電子束電流（Beam Current）：使用鎢燈絲時，在 500 eV 加速電壓下電流為 5 微安（可選配 LaB? 燈絲）。
幾何結構（Geometry）：同心安裝設計。小直徑（1.59 厘米）的電子槍及其支架結構可最大限度減少對觀察屏的干擾。
光學組件安裝：
安裝于標準 8.0 英寸 CF 法蘭，法蘭面至焦點距離為 203.2 mm（8 英寸）
外部配有 μ 金屬屏蔽層
所有電氣連接均為 UHV 烘烤兼容進線接口
伸縮行程為 50.8 mm（2 英寸），由旋轉進給器驅動
RVL/SE 控制電子學詳細參數
| 參數項 | 范圍 |
|---|---|
| 束電壓（Beam Voltage） | 0 – 1500 V（手動或遠程控制） |
| 聚焦電壓（Focus Voltage） | 0 – 束電壓的 100% |
| 燈絲電源 | 0 – 3 A |
| 抑制電極電壓 | 相對于束電壓 0 – 100 V |
| 減速電壓 | 0 – 100 V |
| 熒光屏高壓 | 1 – 5 kV |
反視型 LEED/Auger 組合系統
利用 LK Technologies 的 LEED 光學系統搭配 RVL/AES 控制器，可輕松進行**減速場分析（RFA）型俄歇電子能譜（AES）**測試。該控制器為一體化設計，集成了執行高質量 AES 測量所需的全部電子模塊，圖示為硅材料的典型測試結果。俄歇能譜的工作能量分辨率優于 0.5%。
與其他系統不同，RVL/AES 控制器內置鎖相放大器，專用于俄歇模式，無需像其他商業系統那樣配置多達五個模塊，既降低了成本，又避免了繁瑣的系統集成。此外，RVL/AES 還采用特殊濾波系統和高靈敏前置放大器，實現了RFA 模式下業內領先的信噪比性能。
