美國 OPTO DIODE 光電二極管 多元件和陣列探測器 Photodiode 16 Element AXUV16ELG AXUV20ELG

Opto Diode 生產高質量標準和定制光電二極管。我們廣泛的標準器件具有低暗電流和低電容的特點。硅探測器非常適合通用應用、激光監測、位置傳感、測量光子、電子或 X 射線,或檢測陽光和雨水應用。這些器件的工作波長范圍為深紫外到近紅外波長。

光電二極管:多元件和陣列探測器

Opto Diode 提供多元件或陣列探測器的標準和定制配置,在緊湊的封裝中提供我們的 AXUV、SXUV、UVG 和 NXIR 系列的所有優點。

特征
?40針雙列直插式封裝
?電子探測的理想選擇
?保護蓋板3

光電特性(25°C)

參數
測試條件
最小值 典型值 最大值

  • 有效面積:2 mm x 5 mm
    • 10 mm2
  • 響應度(見下一頁圖表):(未給出數值)
  • 反向擊穿電壓,VR
    • IR = 1 μA
    • 25 V
  • 電容,C
    • VR = 0 V
    • 700 pF
  • 上升時間
    • VR = 0 V
    • 500 nsec
  • 并聯電阻(每個元件)
    • Vf = ±10 mV
    • 100 MΩ

熱參數

  • 存儲和工作溫度范圍
    • 環境溫度
      • 氮氣或真空環境:
        • 存儲溫度范圍:-10°C 到 40°C
        • 工作溫度范圍:-20°C 到 80°C
  • 引腳焊接溫度
    • 260°C

說明:超過這些溫度參數可能會導致光電區域的氧化生長,隨著時間的推移,會影響低能輻射和小于150 nm波長的響應度。


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