美國 OPTO DIODE 光電二極管 EUV 增強(qiáng)型探測(cè)器 （SXUV）SXUV20C Photodiode 20 mm2

美國 OPTO DIODE 光電二極管 EUV 增強(qiáng)型探測(cè)器 （SXUV）SXUV20C Photodiode 20 mm2

光電二極管

Opto Diode 生產(chǎn)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和定制光電二極管。我們廣泛的標(biāo)準(zhǔn)器件具有低暗電流和低電容的特點(diǎn)。硅探測(cè)器非常適合通用應(yīng)用、激光監(jiān)測(cè)、位置傳感、測(cè)量光子、電子或 X 射線，或檢測(cè)陽光和雨水應(yīng)用。這些器件的工作波長(zhǎng)范圍為深紫外到近紅外波長(zhǎng)。

EUV 增強(qiáng)型探測(cè)器 （SXUV）
SXUV 系列極紫外 （EUV） 增強(qiáng)型探測(cè)器具有卓越的 13.5nm 光刻能力，在 1nm 至 190nm 的極端紫外線曝光中具有穩(wěn)定的響應(yīng)性，使其成為 EUV 光最關(guān)鍵測(cè)量的理想選擇。

特征
?圓形活動(dòng)區(qū)域
?極紫外探測(cè)的理想選擇
?整體響應(yīng)性更高
?噪音更低
SXUV20C
?卓越的抗輻射性能
?高光子通量穩(wěn)健性
?TO-8包裝

 

光電特性（25°C）

參數(shù)
測(cè)試條件
最小值 典型值 最大值

  • 有效面積：Φ5.01 mm
  • 響應(yīng)度（見下一頁圖表）：（未給出數(shù)值）
  • 反向擊穿電壓，VR
    • IR = 1 μA
    • 5 V
    • 10 V
  • 電容，C
    • VR = 0 V
    • 1.55 nF
    • 3 nF
  • 上升時(shí)間
    • RL = 50 Ω, VR = 0 V
    • 2 μs
  • 并聯(lián)電阻，Rsh
    • Vf = ±10 mV
    • 50 MΩ
    • 200 MΩ

SXUV100,SXUV20C,SXUV20HS1,SXUV300C,SXUV5


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