Opto Diode 生產(chǎn)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和定制光電二極管。我們廣泛的標(biāo)準(zhǔn)器件具有低暗電流和低電容的特點(diǎn)。硅探測(cè)器非常適合通用應(yīng)用、激光監(jiān)測(cè)、位置傳感、測(cè)量光子、電子或 X 射線，或檢測(cè)陽(yáng)光和雨水應(yīng)用。這些器件的工作波長(zhǎng)范圍為深紫外到近紅外波長(zhǎng)。

Opto Diode 提供多元件或陣列探測(cè)器的標(biāo)準(zhǔn)和定制配置，在緊湊的封裝中提供我們的 AXUV、SXUV、UVG 和 NXIR 系列的所有優(yōu)點(diǎn)。

特征
?40針雙列直插式封裝
?電子探測(cè)的理想選擇
?保護(hù)蓋板3

光電特性（25°C）

參數(shù)
測(cè)試條件
最小值 典型值 最大值

• 有效面積：2 mm x 5 mm
  • 10 mm2
• 響應(yīng)度（見下一頁(yè)圖表）：（未給出數(shù)值）
• 反向擊穿電壓，VR
  • IR = 1 μA
  • 25 V
• 電容，C
  • VR = 0 V
  • 700 pF
• 上升時(shí)間
  • VR = 0 V
  • 500 nsec
• 并聯(lián)電阻（每個(gè)元件）
  • Vf = ±10 mV
  • 100 MΩ

熱參數(shù)

• 存儲(chǔ)和工作溫度范圍
  • 環(huán)境溫度
    • 氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境：
      • 存儲(chǔ)溫度范圍：-10°C 到 40°C
      • 工作溫度范圍：-20°C 到 80°C
• 引腳焊接溫度：
  • 260°C

說明：超過這些溫度參數(shù)可能會(huì)導(dǎo)致光電區(qū)域的氧化生長(zhǎng)，隨著時(shí)間的推移，會(huì)影響低能輻射和小于150 nm波長(zhǎng)的響應(yīng)度。