美國 OPTO DIODE 光電二極管 分段光電二極管 AXUVPS7 Quad Electron Detector 146 mm2
光電二極管
Opto Diode 生產(chǎn)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和定制光電二極管。我們廣泛的標(biāo)準(zhǔn)器件具有低暗電流和低電容的特點(diǎn)。硅探測器非常適合通用應(yīng)用、激光監(jiān)測、位置傳感、測量光子、電子或 X 射線,或檢測陽光和雨水應(yīng)用。這些器件的工作波長范圍為深紫外到近紅外波長。
分段光電二極管
常見的襯底分段探測器是精確歸零或定心應(yīng)用的理想選擇,可提供雙池或四池配置。
特征
?電子探測的理想選擇
?圓形活動區(qū)域
光電特性(25°C)(每個元件)
參數(shù)
測試條件
最小值 典型值 最大值
- 有效面積(每個元件):36.5 mm2
- 響應(yīng)度(見下一頁圖表):0.07 A/W
- 并聯(lián)電阻,RsH
- VR = ±10 mV
- 10 MΩ
- 0.08 MΩ
- 0.09 MΩ
- 反向擊穿電壓,VR
- IR = 1 μA
- 5 V
- 電容,C
- VR = 0 V
- 2 nF
- 6 nF
- 上升時間
- VR = 2 V, RL = 50 Ω
- 2 μs
熱參數(shù)
- 存儲和工作溫度范圍
- 環(huán)境溫度
- 氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境:
- 存儲溫度范圍:-10°C 到 40°C
- 工作溫度范圍:-20°C 到 80°C
- 氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境:
- 環(huán)境溫度
- 引腳焊接溫度:
- 260°C
超過這些溫度參數(shù)可能會導(dǎo)致光電區(qū)域的氧化生長。
隨著時間的推移,對低能輻射和小于150 nm波長的響應(yīng)度將受到影響。
AXUVPS7,ODD-3W-2,SXUVPS4,SXUVPS4C