Prevac Mini MBE系統一種簡單且功能齊全的小型MBE系統旨在用于薄層的外延生長。即插即用緊湊型設計。
如果您需要高質量的沉積工藝以及低運行成本的設計和小尺寸的設備,這就是答案。該設備非常適合用于快速測試研發部門的新材料和新技術。
分子束外延獨立系統適用于III/V、II/VI族元素以及其他異質結構等的生長。
特征
- 即插即用建筑
- 經濟的解決方案,專為空間有限的實驗室設計
- 適用于III/V、II/VI族元素以及其他異質結構的生長
- 多達8個蒸發源DN 40CF帶電源的端口
- 4軸電動或手動操作者具有高精度溫度控制:電阻加熱高達1000 ℃,電子束加熱高達1400 ℃,水或液氮2冷卻(可根據要求提供更簡單的機械手)
- 準備用于旗式基板/樣品架
- 基底壓力用LN2護罩:< 2×10-10毫巴(millibar壓力單位)
- 小的加工室250毫米,帶可更換底部法蘭
- 泵送系統(基于前級泵、TMP、離子泵和TSP)
- 石英天平用于沉積速率測量和厚度監控,用Z操縱器測量焦點處的速率
- RHEED/torrheed帶設備
- 額外的獨立百葉窗在40CF端口上
- 負載鎖定室用于單個樣品架或帶轉盤(作為存儲),用于6或12個旗形基片架
- 可靠且快速線性傳輸系統從裝載鎖到處理室
- 帶設備的真空計
- 視窗–帶快門的觀察窗
- 烘烤前帶有集成排放管線的冷卻系統
- 烘烤系統
- 可調節的剛性主框架,帶大輪子,便于放置系統
- 帶電子裝置的19英寸機柜
描述
這加工室包含8個蒸發源端口,基底臺用于10×10 mm樣品,帶有加熱和旋轉選項。
沉積過程可以在很寬的溫度范圍內控制(從1n2高達1400°C ),可通過PLC控制器完全軟件編程和控制。
這加工室配有UHV標準的連接法蘭,用于連接當前和未來的設備,包括:
- 多達8個帶法蘭DN40CF(高溫或低溫,單絲或多絲)的瀉流單元,
- 基片操縱器的溫度范圍(從12高達1400攝氏度),
- 泵送系統(基于前級泵、TMP、離子泵和TSP),
- 帶設備的真空計,
- 用于線性傳送系統或運輸箱的入口,
- 石英天平,帶Z操縱器的厚度監視器,
- RHEED/torrheed與設備,
- 用于相鄰層或掩模的電動或手動快門(跟隨襯底),
- 額外的氣體定量給料例如對于反應沉積過程,
- 視窗–帶百葉窗的觀察窗,
- 殘余氣體分析儀,
- 診斷設備的加熱視窗。
最終設計和功能取決于系統配置。
A?抽水系統結合小容積的處理室,允許在短時間內達到基礎壓力,其中基礎壓力被保證低于5×10-10毫巴。
該系統配備先進,易于使用電力供應和電子設備控制和支持來源和整個包括研究設備。
應用程序 | Sources | |||
Effusion cell | E-beam evaporators | Valved Cracker Source | Sublimation Source | |
Metals | Al, Co, Ni, Cu (etc.) | Mo, Pd, Ta, W, Pt | ||
group III/V | Be, Al, Ga, In | P, As, Sb | C, Si doping | |
group II/VI | Be, Zn, Cd | S, Se, Te | ||
group IV | Ge, Sn, Pb | Si, Ge | B, P, Sb doping | |
Oxides | Mn, Fe, Ni, Ga, Bi, Eu | |||
Topological Insulators (TI) | Ge, Sn, Te, Bi, GeSb | B | Se, Te |