用于在濺射過程中施加高均勻性薄層的磁控管源。用來2英寸直徑的目標.
根據濺射過程所需的條件,我們提供兩種類型的源:類型?B?&?C.
所有類型都與我們的M600DC-PS電源以及市場上所有其他DC、射頻和脈沖DC電源完全兼容。
磁控管源A型用于在濺射過程中施加具有高均勻性的薄層。該源與UHV條件兼容。由于集成的原位傾斜系統,它可以用于標準和定制幾何室。通過使用圓頂型設計,我們將打開快門所需的空間減到最小。
安裝用法蘭 | DN 63 CF,DN 100 ISO-K* |
最大值電源(DC模式) | 400 W DC ** |
最大值功率(射頻模式) | 400瓦射頻** |
最大值電壓DC | 1200伏 |
DC/右前連接器 | 7/16型 |
目標 | |
形式 | 圓形的;循環的 |
直徑 | 2英寸(50.8毫米)0.2毫米 |
厚度 | 1-6毫米 |
冷卻 | 間接的 |
水流 | 量滴1升/分鐘 |
最大值入口水溫 | < 28 °C |
最大值水壓 | 3巴 |
管道直徑 | 6×1毫米聚四氟乙烯 |
磁體材料 | 釹鐵硼(NdFeB) |
磁鐵最大。溫度 | 200攝氏度 |
內部氣動百葉窗 | 是 |
快門類型 | 圓頂型或平擺型 |
原位傾斜模塊 | 是,范圍+45 \-10 |
煙囪 | 是 |
專用材料: | |
200 W時的典型速率[nm/min]: | |
銅 | 40.87納米/分鐘(距離:150毫米;目標厚度:3毫米)*** |
鈦 | 10.82納米/分鐘(距離:150毫米;目標厚度:3毫米)*** |
(英國)繼續教育 | 15.94納米/分鐘(距離:150毫米;目標厚度:1毫米)*** |
內部氣體入口 | 是(VCR標準) |
工作氣體 | 氬 |
最大值工作壓力 | 5×10-3?– 1×10-1毫巴(millibar壓力單位) |
最佳工作壓力 | 5×10-3?– 5×10-2毫巴(millibar壓力單位) |
*根據要求提供其他安裝法蘭
**最大功率由目標材料決定
***距離取決于室和磁控管的幾何形狀
磁控管源B型用于在濺射過程中施加具有高均勻性的薄層。該源與UHV條件兼容。該源被設計用于濺射磁性和鐵磁材料。它可以操作7毫米厚的目標。
安裝用法蘭 | DN 63 CF |
最大值電源(DC模式) | 400 W DC ** |
最大值功率(射頻模式) | 400瓦射頻** |
最大值電壓DC | 1200伏 |
DC/右前連接器 | 7/16型 |
目標 | |
形式 | 戒指 |
直徑 | 2英寸(50.8毫米)0.2毫米 |
厚度 | 1-7毫米(磁性和非磁性) |
冷卻 | 間接的 |
水流 | 量滴1升/分鐘 |
最大值入口水溫 | < 28 °C |
最大值水壓 | 3巴 |
管道直徑 | 6×1毫米聚四氟乙烯 |
磁體材料 | 釤鈷(SmCo) |
磁鐵最大。溫度 | 350攝氏度 |
內部氣動百葉窗 | 是 |
快門類型 | 圓頂型或平擺型 |
原位傾斜模塊 | 是,范圍+45 \-10 |
煙囪 | 是 |
專用材料: | |
200 W時的典型速率[nm/min]: | |
銅 | 32.84納米/分鐘(距離:160毫米;目標厚度:3毫米)*** |
鈦 | 10.07nm/min(距離:160mm;目標厚度:3毫米)*** |
(英國)繼續教育 | 9.63納米/分鐘(距離:160毫米;目標厚度:3毫米)*** |
內部氣體入口 | 是(VCR標準) |
工作氣體 | 氬 |
最大值工作壓力 | 5×10-3?– 1×10-1毫巴(millibar壓力單位) |
最佳工作壓力 | 5×10-3?– 5×10-2毫巴(millibar壓力單位) |
*根據要求提供其他安裝法蘭
**最大功率由目標材料決定
***距離取決于室和磁控管的幾何形狀
磁控管源C型與射頻和DC兼容,可沉積多種材料:導體、半導體和絕緣體。該源能夠產生均勻、同質和小晶粒的薄膜;具有高密度(低空隙面積)、高鏡面性(反射率)、無輻射損傷和斷鍵等優點。
Mounting flange | 型號為DN 63CF或DN 63 iso-KMS2/63C1, 或型號為DN 100CF或DN 100 iso-KMS2/100C1 |
Max. power (DC mode) | 400 W DC ** |
Max. power (RF mode) | 400 W RF ** |
Max. voltage DC | 1200 V |
Connector DC/RF | type 7/16 |
Target | 保管員標準 |
form | circular |
diameter | 2″ (50.8 mm) ± 0.2 mm |
thickness | 非磁性:1-6mm;磁性:鐵1毫米,鎳1毫米 |
cooling | indirect |
Water flow | min. 1 l/min |
Max. inlet water temperature | < 28 °C |
Max. water pressure | 3 bar |
Tubing diameter | ?6×1 mm PTFE |
Magnet material | Neodymium Iron Boride (NdFeB) |
Magnet max. temperature | 200攝氏度 |
Internal pneumatic shutter | yes |
Shutter type | dome type or flat swing |
Insitu tilt module | yes, range +45° ÷ -10° |
Chimney | yes |
Dedicated materials: | |
typical rates [nm/min] for 200 W: | |
Cu | 34.70納米/分鐘(距離:100毫米;目標厚度:3毫米)*** |
Ti | 6.8納米/分鐘(距離:100毫米;目標厚度:3毫米)*** |
Fe | 32.41納米/分鐘(距離:100毫米;目標厚度:1毫米)*** |
Internal gas inlet | yes (VCR standard) |
Working gas | Ar |
Max. working pressure | 5×10-3?– 1×10-1?mbar |
Optimal working pressure | 5×10-3?– 5×10-2?mbar |
* Other mounting flanges on request
** The maximum power is determined by the target material
*** Distances depend on the geometry of the chamber and the magnetrons
- 有或沒有原位傾斜模塊
- 安裝法蘭的范圍
- 標準煙囪
- 充氣的圓頂型或者側擺快門
- 間接冷卻