波蘭 PREVAC MBE分子束外延設(shè)備 Standard MBE systems

波蘭 PREVAC MBE分子束外延設(shè)備 Standard MBE systems 獨立MBE系統(tǒng)包括沉積工藝室和加載鎖定室,用于簡單快速地加載襯底。它適用于生長III/V族、II/VI族以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)等的元素。

MBE分子束外延設(shè)備可提供底部法蘭可更換的系統(tǒng)設(shè)計。整個法蘭可以使用專門設(shè)計的推車輕松更換,因此可以為您的研究提供各種不同的來源配置和選項。

MBE分子束外延設(shè)備可包含10個用于蒸發(fā)源的端口,襯底臺適用于直徑高達(dá)4英寸的樣品,并可選擇加熱和旋轉(zhuǎn)。沉積過程可以在較寬的溫度范圍內(nèi)(從LN2到1400?C)進行控制,并且可以通過PLC控制器進行完全的軟件編程和控制。
MBE分子束外延設(shè)備配有超高壓標(biāo)準(zhǔn)的連接法蘭,用于連接當(dāng)前和未來的設(shè)備,包括:
最多10個帶法蘭DN 63CF(高溫或低溫、單絲或多絲)的光源,
帶法蘭DN 63CF的獨立百葉窗,
帶有電源的閥式裂解器源,
帶電源的大功率電子槍
具有溫度范圍(從LN2到1400?C)的基板操縱器,
泵送系統(tǒng)(基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵),
帶設(shè)備的真空計,
用于線性傳輸系統(tǒng)的入口,例如來自負(fù)載鎖、徑向分配室、傳輸通道或傳輸箱的入口,
帶Z操作器的石英天平
RHEED/TorrHEED帶設(shè)備,
用于相鄰層或掩模的電動或手動快門(跟隨襯底),
額外的氣體配量系統(tǒng),例如用于反應(yīng)沉積過程,
視口–帶百葉窗的觀察窗,
殘余氣體分析儀,
光束通量監(jiān)測器
診斷設(shè)備的加熱視口。
最終設(shè)計和功能取決于系統(tǒng)配置。

如果需要,該系統(tǒng)的模塊化設(shè)計允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺相結(jié)合和集成。
泵送系統(tǒng)與MBE分子束外延設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)容積相結(jié)合,可根據(jù)泵的配置達(dá)到5×10-10–5×10-11毫巴的基本壓力。泵送系統(tǒng)是不同類型的泵的組合,例如前真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪泵或鈦升華泵,根據(jù)具體應(yīng)用需求單獨選擇以實現(xiàn)最佳泵送性能。

Synthesis過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進行集成和完美合作,并實現(xiàn)簡單的配方編寫、自動生長控制和廣泛的數(shù)據(jù)記錄。允許基于Tango開源設(shè)備集成新的附加組件。

MBE分子束外延設(shè)備配備了先進、易于使用的電源和電子設(shè)備,用于控制和支持電源和整個研究設(shè)備。

波蘭 PREVAC MBE分子束外延設(shè)備 Standard MBE systems主要特征:

適用于MBE生長工藝領(lǐng)域大多數(shù)研究需求的通用解決方案
適用于生長III/V、II/VI族元素以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)
DN 63CF端口中最多10個蒸發(fā)源,帶電源
帶電源的帶閥門的裂解器源
帶電源的大功率電子槍
1-4軸電動或手動操作器,帶接收站,能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)1400°C的高溫(具有由固體SiC制成的穩(wěn)定、長壽命的加熱器元件)
基板支架尺寸范圍:從10×10毫米到4英寸
基本壓力為5×10-10至5×10-11毫巴
工藝室直徑為300或450 mm,帶有可更換的底部法蘭(例如,最多10個DN 63CF端口,用于處理室直徑為450 mm的蒸發(fā)源)
泵送系統(tǒng)(基于背壓泵、TMP、離子泵和TSP)
用于沉積速率測量和厚度監(jiān)視器的石英天平,帶Z機械手測量焦點中的速率
帶設(shè)備的RHEED/TorrHEED
63CF端口上的附加獨立百葉窗
樣品架裝載用裝載閘室
從負(fù)載鎖定到?處理室
內(nèi)部屏蔽
帶設(shè)備的真空計
視口-帶快門的觀察窗
烘烤前帶有集成排氣管線的冷卻系統(tǒng)
烘烤系統(tǒng)
系統(tǒng)的可調(diào)節(jié)剛性主框架
19“帶電子單元的機柜

ApplicationsSources
Effusion cellE-beam evaporatorsValved Cracker SourceSublimation Source
MetalsAl, Co, Ni, Cu (etc.)Mo, Pd, Ta, W, Pt
group III/VBe, Al, Ga, InP, As, SbC, Si doping
group II/VIBe, Zn, CdS, Se, Te
group IVGe, Sn, PbSi, GeB, P, Sb doping
OxidesMn, Fe, Ni, Ga, Bi, Eu
Topological Insulators (TI)Ge, Sn, Te, Bi, GeSbBSe, Te

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