磁控管源，用于在濺射過程中施加具有高均勻性的薄層。適用于直徑為 2 英寸的目標。
根據(jù)濺射工藝所需的條件，我們提供2種類型的光源：B型和C型。
所有類型都與我們的 M600DC-PS 電源以及市場上所有其他直流、射頻和脈沖直流電源完全兼容。
源類型B
B型磁控管源用于在濺射過程中施加具有高均勻性的薄層。該源與 UHV 條件兼容。該光源設(shè)計用于濺射磁性和鐵磁材料。它可以在厚達 7 mm 的目標上操作。
| 安裝法蘭 | DN 63 CF |
| 最大功率（直流模式） | 400 W 直流 ** |
| 最大功率（射頻模式） | 400 W 射頻 ** |
| 最大電壓直流 | 1200 V |
| 直流/射頻連接器 | 類型 7/16 |
| 目標 | |
| 形式 | 戒指 |
| 直徑 | 2英寸（50.8毫米）±0.2毫米 |
| 厚度 | 1 – 7 毫米（磁性和非磁性） |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 油管直徑 | 直徑6×1毫米聚四氟乙烯 |
| 磁鐵材料 | 釤鈷 |
| 磁鐵最高溫度 | 350°C |
| 內(nèi)部氣動快門 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺 |
| 原位傾斜模塊 | 是，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 32，84 納米/分鐘（距離：160 毫米;目標厚度：3 毫米）*** |
| 鈦 | 10，07 納米/分鐘（距離：160 毫米;目標厚度：3 毫米）*** |
| 鐵 | 9，63 納米/分鐘（距離：160 毫米;目標厚度：3 毫米）*** |
| 內(nèi)部進氣口 | 是（錄像機標準） |
| 工作氣體 | 阿爾 |
| 最大工作壓力 | 5×10日-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10日-3– 5×10-2毫巴 |
* 可根據(jù)要求提供
其他安裝法蘭 ** 最大功率由目標材料
決定 *** 距離取決于腔室和磁控管的幾何形狀
源類型C
C型磁控管源兼容射頻和直流，可以沉積許多類別的材料：導體、半導體和絕緣體。該源能夠創(chuàng)建均勻、均勻和小顆粒的薄膜;具有高密度（低空隙面積）、高鏡面反射率（反射率）、無輻射損傷和斷裂鍵等優(yōu)點。
| 安裝法蘭 | DN 63CF 或 DN 63ISO-K 適用于 MS2/63C1 型號，DN 100CF 或 DN 100ISO-K 適用于?MS2/100C1 型號 |
| 最大功率（直流模式） | 400 W 直流 ** |
| 最大功率（射頻模式） | 400 W 射頻 ** |
| 最大電壓直流 | 1200 V |
| 直流/射頻連接器 | 類型 7/16 |
| 目標 | 守門員標準 |
| 形式 | 循環(huán) |
| 直徑 | 2英寸（50.8毫米）±0.2毫米 |
| 厚度 | 非磁性：1-6毫米;磁性：鐵1毫米，鎳1毫米 |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 油管直徑 | 直徑6×1毫米聚四氟乙烯 |
| 磁鐵材料 | 硼化釹鐵（釹鐵硼） |
| 磁鐵最高溫度 | 200 °C |
| 內(nèi)部氣動快門 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺 |
| 原位傾斜模塊 | 是，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 34，70 納米/分鐘（距離：100 毫米;目標厚度：3 毫米）*** |
| 鈦 | 6，8 納米/分鐘（距離：100 毫米;目標厚度：3 毫米）*** |
| 鐵 | 32，41 納米/分鐘（距離：100 毫米;目標厚度：1 毫米）*** |
| 內(nèi)部進氣口 | 是（錄像機標準） |
| 工作氣體 | 阿爾 |
| 最大工作壓力 | 5×10日-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10日-3– 5×10-2毫巴 |
* 可根據(jù)要求提供
其他安裝法蘭 ** 最大功率由目標材料
決定 *** 距離取決于腔室和磁控管的幾何形狀
特征：
- 帶或不帶原位傾斜模塊
- 安裝法蘭范圍
- 標配煙囪
- 氣動圓頂式或側(cè)擺式快門
- 間接冷卻
選項：
- 質(zhì)量流量控制器 （MKS MF1）
- 定制長度
- Z 機械手
