電子束蒸發(fā)器 EBV 40A1 專為超純亞單層和多層 MBE 薄膜生長而設(shè)計(jì)。精確定義的蒸發(fā)光束意味著在樣品上高度均勻的沉積，沉積面積由電子束蒸發(fā)器到樣品的距離以及選擇易于更換的出口孔之一決定。電子束蒸發(fā)器 EBV 40A1 可配置手動(dòng)或自動(dòng)快門選擇。定制插入長度 190 – 345 mm（其他可根據(jù)要求提供）。
技術(shù)規(guī)格：
| 安裝法蘭 | DN 40CF（可旋轉(zhuǎn)） |
| 溫度范圍（用于蒸發(fā)材料） | 160 °C – 2300 °C（鉬連接器為 3300 °C） |
| 燈絲電流 | 典型值為 1.8 – 2.2 A，最大 2.3 A |
| 蒸發(fā)棒直徑 | 標(biāo)準(zhǔn) 2 mm（其他根據(jù)要求提供），步長 2 mm，送絲 25 mm 線長 43 mm |
| 水冷（必需） | 水流量：> 0.5 升/分鐘，溫度：20-30 °C，最大壓力：6 巴 |
| 出口孔徑直徑 | 套裝 1：ID 4、ID 6、ID 7.4（標(biāo)準(zhǔn)） 套裝 2：ID 10、ID 14、ID 19 |
| 快門類型 | 手動(dòng)或氣動(dòng) |
| 功率 | – 50 W 用于高蒸氣壓材料 – 高達(dá) 200 W 用于坩堝和粗線 |
| 能量范圍 | 1 – 1500 eV |
| 陰極類型 | 釷鎢 |
| 坩堝類型（可選） | 克努森細(xì)胞類型由以下材料制成：Mo，W，襯墊PBN，Al2O3 |
| 坩堝容積 | 0.07 毫升 |
| 蒸發(fā)材料 | 根據(jù)坩堝類型的所有典型材料 |
| 其它 | – 通過離子電流調(diào)節(jié)通量，包括電極、饋通件、顯示單元和 PID 調(diào)節(jié)器 – 后裝蒸發(fā)劑 |
| 插入長度 | 最小 190 mm （其他應(yīng)要求提供） 外徑： 34.8 mm |
| 沉積區(qū)域 | 取決于工作距離（例如，6 mm 表示距離 25 mm – ID 4，33 mm 表示距離 75 mm – ID 19） |
| 工作距離 | 25 – 75 mm （最佳） |
| 烘烤溫度 | 最高 250°C |
| 工作壓力 | <10-5毫巴 |
特征：
- 手動(dòng)或電動(dòng)氣動(dòng)快門，集成磁通量監(jiān)視器
- W/Th-燈絲，用于從棒材或小型可導(dǎo)電坩堝中蒸發(fā)
- 多種可更換的出口孔徑
- 一體式水冷
- 適用于各種材料
- 獨(dú)特的高可靠性設(shè)計(jì)
- 極高的功率密度
選項(xiàng)：
- 定制插入長度
- 帶或不帶集成手動(dòng)/電動(dòng)氣動(dòng)快門
- 線性移位
- 坩堝
