描述

專用于薄層制備和表面固體樣品（晶體和電子結構）的復雜分析的多室 UHV 系統，采用掃描探針顯微鏡（SPM、SPS）等研究方法。MBE 室配備 7 個源，RHEED 和離子源。分析室配備了 XPS 分析儀，可使用 X 射線、離子和電子源。

規格

該系統專用于：

? 通過外延生長生成納米結構、薄層、磁性層狀結構和異質結構（鐵磁/半導體）

? 使用磁性、XPS 和SPM 方法對制造的異質結構特性進行高級研究。通過 STM、AFM 和磁力顯微鏡 (MFM) 表征磁性薄層和磁性固體材料

? 測量薄層和磁性異質結構的表面電子態密度

? 通過 X 射線光電子能譜 (XPS) 分析表面電子狀態