波蘭 PREVAC 磁控濺射系統 Standard MS systems的獨立配置與我們經過現場驗證的標準解決方案使沉積過程變得簡單、高效和可靠。
根據您的需求，我們的標準MS系統磁控濺射系統在單個腔室中提供多種濺射沉積技術的靈活性。每個系統都有一個通用安裝法蘭，可以配置用于磁控濺射沉積（具有向下濺射或向上濺射配置）或任何其他薄膜沉積技術的組合。這使得PREVAC Standard MS systems 磁控濺射系統 成為一個通用、強大和簡單的單元，可以滿足表面科學涂層領域的大多數需求。
PREVAC Standard MS systems 磁控濺射系統的主要優點之一是易于進入工藝室，這可以通過前門、自動提升的頂部法蘭或通過底部法蘭進行，使用專門設計的手推車進行更換。因此，可以輕松快速地更換磁控管靶、基板支架操縱器或訪問/更換整個底部法蘭。頂部法蘭的提升機構是電動的，并通過傳感器進行充分保護。
最終設計和功能取決于系統配置。
PREVAC Standard MS systems 磁控濺射系統配置有適當的密封和泵送系統，以實現10^-7毫巴（帶viton密封門）、5×10^-8毫巴（帶有viton密封和差動泵送門）或超高壓壓力（不帶門，帶快速進入負載鎖用于襯底引入）范圍內的基本真空。
MS systems 磁控濺射系統工藝室配有不同尺寸的超高壓標準連接法蘭，用于連接當前和未來的設備，包括：
磁控管源，
基板操縱器，
用于清潔、蝕刻或活化襯底表面的離子源，
泵送系統，
用于線性傳送系統或運輸箱的入口，
氣體計量系統：工藝氣體最多4條管線，以及最多4種氣體的質量流量控制，
用于相鄰層或掩模的電動或手動快門（跟隨襯底），
殘余氣體分析儀，
石英天平，
高溫計，
帶檢測器的橢圓儀，
視口（帶百葉窗的觀察窗），
真空計
Standard MS systems 磁控濺射系統主要特征：
獨立的HV/UHV系統，包括用于濺射工藝的高質量和高可用性解決方案
非常適合沉積金屬和介電薄膜
工藝室的標準尺寸：?570 mm
主室源端口配置示例：2〃磁控管用6 x DN100CF端口或10 x DN63CF（5個磁控管同時工作），3〃磁控管使用5 x DN 160 ISO-K端口
基本壓力范圍從10-7毫巴到超高壓
雙軸機械手，具有由固體SiC制成的穩定、長壽命的加熱器元件和接收站，可實現高達1200°C的高溫
廣泛的基板支架尺寸（從10×10毫米到6英寸，其他可根據要求）和形狀
提供濺射向上和濺射向下布置
在直流、射頻和脈沖直流模式下運行
Ar氣體質量流量控制自動加藥
現場表征工具的可能性，例如等離子體發射監測器（PEM）、橢圓儀、反射儀、石英天平或高溫計溫度測量系統
由單個電源和開關網絡提供的多個源，或由用于共沉積處理的多個電源提供
前門通道和/或裝載鎖定室，可快速輕松地裝載基板
可以使用專用起重小車完全接近或更換帶源的底部法蘭
19“帶電子單元的機柜
Synthesis軟件可對沉積過程和設備進行全面控制
| 應用 | 案例 |
| 單層和多層導體膜（用于微電子和半導體器件） | Al, Mo, Mo/Au, Ta, Ta/Au? |
| 用于半導體金屬化的阻擋層 | TiN, W-Ti? |
| 磁性薄膜 | Fe, Co, Ni, Fe-Al-Si, Co-Nb-Zr, Co-Cr, Fe-Ni-Cr, Fe-Si, Co-Ni-Cr, Co-Ni-Si?? |
| 光學涂層——金屬（反射） | Cr, Al, Ag? |
| 光學涂層——電介質 | MgO, TiO2, ZrO2? |
| 光掩模 | Cr, Mo, W? |
| 透明氣體/蒸汽滲透屏障 | Al2O3? |
| 透明導電體 | InO2, SnO2,In-Sn-O (ITO)? |
可選配件：
