用于2 英寸目標(biāo)的磁控管源 63CF 濺射工藝 M600DC-PS 電源

磁控管源,用于在濺射過(guò)程中施加具有高均勻性的薄層。適用于直徑為 2 英寸的目標(biāo)。

根據(jù)濺射工藝所需的條件,我們提供2種類型的光源:B型和C

所有類型都與我們的 M600DC-PS 電源以及市場(chǎng)上所有其他直流、射頻和脈沖直流電源完全兼容。

源類型B

B型磁控管源用于在濺射過(guò)程中施加具有高均勻性的薄層。該源與 UHV 條件兼容。該光源設(shè)計(jì)用于濺射磁性和鐵磁材料。它可以在厚達(dá) 7 mm 的目標(biāo)上操作。

安裝法蘭DN 63 CF
最大功率(直流模式)400 W 直流 **
最大功率(射頻模式)400 W 射頻 **
最大電壓直流1200 V
直流/射頻連接器類型 7/16
目標(biāo)
形式戒指
直徑2英寸(50.8毫米)±0.2毫米
厚度1 – 7 毫米(磁性和非磁性)
冷卻間接
?最小 1 升/分鐘
最高進(jìn)水溫度< 28 °C
最大水壓3 巴
油管直徑直徑6×1毫米聚四氟乙烯
磁鐵材料釤鈷
磁鐵最高溫度350°C
內(nèi)部氣動(dòng)快門是的
快門類型圓頂型或平擺
原位傾斜模塊是,范圍 +45° ÷ -10°
煙囪是的
專用材料:
200 W 的典型速率 [nm/min]:
32,84 納米/分鐘(距離:160 毫米;目標(biāo)厚度:3 毫米)***
10,07 納米/分鐘(距離:160 毫米;目標(biāo)厚度:3 毫米)***
9,63 納米/分鐘(距離:160 毫米;目標(biāo)厚度:3 毫米)***
內(nèi)部進(jìn)氣口是(錄像機(jī)標(biāo)準(zhǔn))
工作氣體阿爾
最大工作壓力5×10日-3– 1×10-1毫巴
最佳工作壓力5×10日-3– 5×10-2毫巴

* 可根據(jù)要求提供
其他安裝法蘭 ** 最大功率由目標(biāo)材料
決定 *** 距離取決于腔室和磁控管的幾何形狀

源類型C

C型磁控管源兼容射頻和直流,可以沉積許多類別的材料:導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。該源能夠創(chuàng)建均勻、均勻和小顆粒的薄膜;具有高密度(低空隙面積)、高鏡面反射率(反射率)、無(wú)輻射損傷和斷裂鍵等優(yōu)點(diǎn)。

安裝法蘭DN 63CF 或 DN 63ISO-K 適用于 MS2/63C1 型號(hào),DN 100CF 或 DN 100ISO-K 適用于?MS2/100C1
型號(hào)
最大功率(直流模式)400 W 直流 **
最大功率(射頻模式)400 W 射頻 **
最大電壓直流1200 V
直流/射頻連接器類型 7/16
目標(biāo)守門員標(biāo)準(zhǔn)
形式循環(huán)
直徑2英寸(50.8毫米)±0.2毫米
厚度非磁性:1-6毫米;磁性:鐵1毫米,鎳1毫米
冷卻間接
?最小 1 升/分鐘
最高進(jìn)水溫度< 28 °C
最大水壓3 巴
油管直徑直徑6×1毫米聚四氟乙烯
磁鐵材料硼化釹鐵(釹鐵硼)
磁鐵最高溫度200 °C
內(nèi)部氣動(dòng)快門是的
快門類型圓頂型或平擺
原位傾斜模塊是,范圍 +45° ÷ -10°
煙囪是的
專用材料:
200 W 的典型速率 [nm/min]:
34,70 納米/分鐘(距離:100 毫米;目標(biāo)厚度:3 毫米)***
6,8 納米/分鐘(距離:100 毫米;目標(biāo)厚度:3 毫米)***
32,41 納米/分鐘(距離:100 毫米;目標(biāo)厚度:1 毫米)***
內(nèi)部進(jìn)氣口是(錄像機(jī)標(biāo)準(zhǔn))
工作氣體阿爾
最大工作壓力5×10日-3– 1×10-1毫巴
最佳工作壓力5×10日-3– 5×10-2毫巴

* 可根據(jù)要求提供
其他安裝法蘭 ** 最大功率由目標(biāo)材料
決定 *** 距離取決于腔室和磁控管的幾何形狀

特征:

  • 帶或不帶原位傾斜模塊
  • 安裝法蘭范圍
  • 標(biāo)配煙囪
  • 氣動(dòng)圓頂式或側(cè)擺式快門
  • 間接冷卻

選項(xiàng):

  • 質(zhì)量流量控制器 (MKS MF1)
  • 定制長(zhǎng)度
  • Z 機(jī)械手

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