用于3英寸目標(biāo)的磁控管源 160 ISO-K 濺射工藝 磁控濺射源

磁控管源，用于在濺射過程中施加具有高均勻性的薄層。適用于直徑為 3 英寸的目標(biāo)。

根據(jù)濺射工藝所需的條件，我們提供2種類型的光源：B型和C型。

所有類型都與我們的 M600DC-PS 電源以及市場(chǎng)上所有其他直流、射頻和脈沖直流電源完全兼容。

源類型B

B型磁控管源用于在濺射過程中施加具有高均勻性的薄層。該源與 UHV 條件兼容。磁控管源設(shè)計(jì)用于濺射磁性和鐵磁材料。它可以在厚達(dá) 7 毫米的目標(biāo)上運(yùn)行。

安裝法蘭DN 160 CF*
最大功率（直流模式）600 W 直流 **
最大功率（射頻模式）600 W 射頻 **
最大電壓直流1200 V
直流/射頻連接器類型 7/16
目標(biāo)
形式戒指
直徑3英寸（76.2毫米）±0.2毫米
厚度1 – 7 毫米（磁性和非磁性）
冷卻間接
?最小 1 升/分鐘
最高進(jìn)水溫度< 28 °C
最大水壓3 巴
油管直徑直徑6×1毫米聚四氟乙烯
磁鐵材料釤鈷
磁鐵最高溫度350°C
內(nèi)部氣動(dòng)快門是的
快門類型圓頂型或平擺
原位傾斜模塊是，范圍 +45° ÷ -10°
煙囪是的
專用材料：
200 W 的典型速率 [nm/min]：
銅18，72 納米/分鐘（距離：170 毫米;靶材厚度：3 毫米）***
鈦4，10 納米/分鐘（距離：170 毫米;靶材厚度：3 毫米）***
鐵5，16 納米/分鐘（距離：170 毫米;目標(biāo)厚度：3 毫米）***
內(nèi)部進(jìn)氣口是（錄像機(jī)標(biāo)準(zhǔn)）
工作氣體阿爾
最大工作壓力5×10日-3– 1×10-1毫巴
最佳工作壓力5×10日-3– 5×10-2毫巴

* 可根據(jù)要求提供
其他安裝法蘭 ** 最大功率由目標(biāo)材料
決定 *** 距離取決于腔室和磁控管的幾何形狀

源類型C

C型磁控濺射源與RF和DC兼容，可以沉積許多類別的材料：導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣體。磁控管源能夠創(chuàng)建均勻、均勻和小顆粒的薄膜;具有高密度（低空隙面積）、高鏡面反射率（反射率）、無輻射損傷和斷裂鍵等優(yōu)點(diǎn)。

安裝法蘭DN 160 CF*
最大功率（直流模式）600 W 直流 **
最大功率（射頻模式）600 W 射頻 **
最大電壓直流1200 V
直流/射頻連接器類型 7/16
目標(biāo)守門員標(biāo)準(zhǔn)
形式循環(huán)
直徑3英寸（76.2毫米）±0.2毫米
厚度1 – 6 毫米
冷卻間接
?最小 1 升/分鐘
最高進(jìn)水溫度< 28 °C
最大水壓3 巴
油管直徑直徑6×1毫米聚四氟乙烯
磁鐵材料硼化釹鐵（釹鐵硼）
磁鐵最高溫度200 °C
內(nèi)部氣動(dòng)快門是的
快門類型圓頂型或平擺
原位傾斜模塊是，范圍 +45° ÷ -10°
煙囪是的
專用材料：
200 W 的典型速率 [nm/min]：
銅19，76 納米/分鐘（距離：150 毫米;靶材厚度：3 毫米）***
鈦4，08 納米/分鐘（距離：150 毫米;靶材厚度：6 毫米）***&nbsp;

4，32 納米/分鐘（距離：150 毫米;靶材厚度：3 毫米）***

內(nèi)部進(jìn)氣口是（錄像機(jī)標(biāo)準(zhǔn)）
工作氣體阿爾
最大工作壓力5×10日-3– 1×10-1毫巴
最佳工作壓力5×10日-3– 5×10-2毫巴

* 可根據(jù)要求提供
其他安裝法蘭 ** 最大功率由目標(biāo)材料
決定 *** 距離取決于腔室和磁控管的幾何形狀

特征：

  • 帶或不帶原位傾斜模塊
  • 安裝法蘭范圍
  • 標(biāo)配煙囪
  • 氣動(dòng)圓頂式或側(cè)擺式快門
  • 間接冷卻

選項(xiàng)：

  • 質(zhì)量流量控制器 （MKS MF1）
  • 定制長(zhǎng)度
  • Z 機(jī)械手

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