電子束蒸發器 EBV 40A1 專為超純亞單層和多層 MBE 薄膜生長而設計。精確定義的蒸發光束意味著在樣品上高度均勻的沉積，沉積面積由電子束蒸發器到樣品的距離以及選擇易于更換的出口孔之一決定。電子束蒸發器 EBV 40A1 可配置手動或自動快門選擇。定制插入長度 190 – 345 mm（其他可根據要求提供）。
技術規格：
| 安裝法蘭 | DN 40CF（可旋轉） |
| 溫度范圍（用于蒸發材料） | 160 °C – 2300 °C（鉬連接器為 3300 °C） |
| 燈絲電流 | 典型值為 1.8 – 2.2 A，最大 2.3 A |
| 蒸發棒直徑 | 標準 2 mm（其他根據要求提供），步長 2 mm，送絲 25 mm 線長 43 mm |
| 水冷（必需） | 水流量：> 0.5 升/分鐘，溫度：20-30 °C，最大壓力：6 巴 |
| 出口孔徑直徑 | 套裝 1：ID 4、ID 6、ID 7.4（標準） 套裝 2：ID 10、ID 14、ID 19 |
| 快門類型 | 手動或氣動 |
| 功率 | – 50 W 用于高蒸氣壓材料 – 高達 200 W 用于坩堝和粗線 |
| 能量范圍 | 1 – 1500 eV |
| 陰極類型 | 釷鎢 |
| 坩堝類型（可選） | 克努森細胞類型由以下材料制成：Mo，W，襯墊PBN，Al2O3 |
| 坩堝容積 | 0.07 毫升 |
| 蒸發材料 | 根據坩堝類型的所有典型材料 |
| 其它 | – 通過離子電流調節通量，包括電極、饋通件、顯示單元和 PID 調節器 – 后裝蒸發劑 |
| 插入長度 | 最小 190 mm （其他應要求提供） 外徑： 34.8 mm |
| 沉積區域 | 取決于工作距離（例如，6 mm 表示距離 25 mm – ID 4，33 mm 表示距離 75 mm – ID 19） |
| 工作距離 | 25 – 75 mm （最佳） |
| 烘烤溫度 | 最高 250°C |
| 工作壓力 | <10-5毫巴 |
特征：
- 手動或電動氣動快門，集成磁通量監視器
- W/Th-燈絲，用于從棒材或小型可導電坩堝中蒸發
- 多種可更換的出口孔徑
- 一體式水冷
- 適用于各種材料
- 獨特的高可靠性設計
- 極高的功率密度
選項：
- 定制插入長度
- 帶或不帶集成手動/電動氣動快門
- 線性移位
- 坩堝
