離子源 IS 40E1 離子槍 用于XPS，ISS和SIMS中的深度剖析 樣品表面清潔

離子源IS 40E1–兩個透鏡，提取器類型，聚焦。適用于深度剖面（Ar），能夠使用O2、H2、碳氫化合物和所有惰性氣體等反應性氣體進行操作。該源能夠以建議的工作距離柵格化 10 mm x 10 mm 的表面區域。它特別適用于XPS，ISS和SIMS中的深度剖析。該源也可用于樣品表面清潔。

技術規格：

安裝法蘭DN 40CF（可旋轉）
氣體氬氣和反應氣體（O2， H2壽命縮短的碳氫化合物）
能量范圍0.15 keV – 5 keV
掃描區域10 毫米 x 10 毫米（工作距離為 23 毫米）
電流密度高達 4 mA/cm2（距離 23 毫米）
光束電流> 1 μA（距離 23 mm 時）
陰極類型氧化釔涂層銥絲
錐角小50
插入長度163 毫米（標準）
FWHM取決于工作距離（例如，距離
150 mm 時為 < 23 μm）
典型工作距離23 – 120 毫米
烘烤溫度250 °C
工作壓力10-8毫巴（最大光束電流）

特征：

  • 特殊配置的鼻錐
  • 使用惰性（Ar）和反應氣體（O2， H2，壽命縮短的碳氫化合物）
  • 連續可變光斑尺寸
  • 極其均勻的火山口/光束輪廓
  • 側面可更換燈絲
  • 特高壓氣體入口
  • 室內保持特高壓條件
  • 集成掃描和偏轉單元
  • 入射電子束角度校正（由IS40-PS電源提供）

選項：

  • 維恩質量過濾器
  • 氣體計量系統
  • 直線移位： 25， 50， 75， 100 mm
  • 泵組（2級）
  • 真空計套件

離子源電源 IS40-PS

高穩定性和低噪音電源，可配置為與IS40C1或IS40E1離子源配合使用。

離子源 IS 40E1 模式

IS40-PS 電源驅動 IS40E1 掃描離子源。它允許微調主光束能量、離子密度和光束輪廓（通過調整提取器、聚焦透鏡、偏轉和定位元件）。通過數字編碼器最多可改變 4 個參數。每個參數的當前狀態顯示在大型前面板LCD顯示屏上。所有設置都可以手動調整，也可以在設備打開后自動存儲和調用。該裝置還具有內置定時器和自動待機模式。通過 USB 端口輕松更新固件。設備可通過RS232/485或以太網接口進行遠程控制。自動保存功能，用于保存參數/單位預設并在重新啟動后自動應用它們。
提供維恩過濾器選項。

離子源 IS 40C1 模式

IS40-PS 電源驅動 IS40C1 離子源，用于大面積 UHV 樣品清潔和制備。IS40-PS 電源允許通過數字編碼器微調光束能量和離子密度。所有設置都可以手動調整，也可以在設備打開后自動存儲和調用。該裝置還具有內置定時器和自動待機模式。通過 USB 端口輕松更新固件。設備可通過RS232/485或以太網接口進行遠程控制。自動保存功能，用于保存參數/單位預設并在重新啟動后自動應用它們。

技術規格：

電源電壓100V – 240V，50-60Hz
（最大功耗250W）
定時器雙模式定時器，0 秒 – 99 小時 59 分鐘
真空測量（可選）CTR90， TTR91， TTR211， PTR225， PTR90， ITR90， ITR100， Baratron， 模擬輸入， MKS937A， PG105， MG13/14， PKR251/360/361， PCR280， ATMION
用戶界面7“ TFT 顯示屏，帶觸摸屏，數字編碼器
通信接口RS232/485，以太網
通信協議MODBUS-TCP
界面語言英語， 德語， 波蘭語
尺寸 [毫米]483 x 133 x 437 mm（寬 x 高 x 深），19“ 機架安裝

規格（IS40E1 模式）

光束能量 （E）0 – 5 keV，分辨率 0.01 keV，紋波 < 0.2 VPP
發射電流（Ie)0.01 mA – 10 mA，分辨率 0.01 mA
焦點 （1，2） 電壓0 – 5000 V，分辨率 1 V，紋波 < 0.2 VPP
提取器電壓（Ex）60 – 100% 能量，分辨率 0.1%，紋波< 0.2 VPP
光束位置（像素、像素）-5 毫米至 5 毫米，分辨率 0.01 毫米
掃描區域（Δx、Δy）10 毫米 x 10 毫米，分辨率 0.01 毫米
掃描速度（時間/點）20 μs – 30 ms
重量（大約）12 公斤

規格（IS40C1 模式）

光束能量（U英)0.00 keV – 5.00 keV，分辨率 0.01 keV，紋波< 200 mV
發射電流（Ie)0.01 mA – 10 mA，分辨率 0.01 mA
重量（大約）9.2 千克

選項：

– 軟件控制（專業版、擴展版或庫模塊）

– 用于真空測量的模擬量 I/O 卡（1 個儀表）


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