具有小光斑輪廓的可掃描電子源。由于其Einzel透鏡的高透射率,ES 40C在很寬的能量范圍內提供高電子束電流。ES 40C1 專為在 AES、掃描應用、成像、EELS 和電子脈沖或解吸實驗 (ESD) 等應用中穩定可靠地運行而設計。
技術規格:
安裝法蘭 | DN 40CF(可旋轉) |
能量范圍 | 0 – 5 keV |
采樣電流 | 高達 100 μA |
掃描區域 | 10 毫米 x 10 毫米 |
屏蔽 | 銅或μ金屬 |
陰極類型 | 釷鎢 |
插入長度 | 最小 155.7 毫米,(其他應要求提供)外徑:33.5 毫米(μ金屬),35 毫米(銅) |
FWHM | 取決于工作距離,最小 120 μm(距離 56 mm) |
工作距離 | 23 毫米 – 150 毫米(典型值為 75 毫米) |
烘烤溫度 | 最高 250 °C |
工作壓力 | < 5×10-6毫巴 |
特征:
- 細聚焦微成型尖端陰極
- 具有小光斑輪廓的可掃描電子源
- 入射電子束角校正(由ES40-PS電源提供)
- 集成掃描和偏轉單元
選項:
- 線性移位
- 定制插入長度
- 源屏蔽材料(μ金屬或銅)
電子源電源 ES40-PS
允許微調電子束能量、密度、樣品上的位置以及電子束輪廓。掃描功能允許獨立控制掃描速度和范圍。所有設置都可以手動調整,也可以在設備打開后自動存儲和調用。該裝置還具有內置定時器和自動待機模式。ES40-PS可以作為全寬19“機架安裝單元(3U高)或獨立式提供。通過 USB 端口輕松更新固件。設備可通過RS232/485或以太網接口進行遠程控制。自動保存功能,用于保存參數/單位預設并在重新啟動后自動應用它們。
技術規格:
電源電壓 | 100 – 120 伏交流電/200 – 240 伏交流電,50-60 赫茲(最大功耗 250 W) |
光束能量 | 0 – 5000 eV,分辨率 0.1 eV,紋波 < 200 mV |
發射電流 | 0.1 – 300 μA,分辨率 0.01 μA [ES 模式] 1 – 3000 nA,分辨率 1 nA [CMA 模式] |
聚焦電壓 | 60 – 100 % 與能量電壓相關,分辨率 0.1 % |
韋內爾特電壓 | 0 – 150 V,分辨率 0.1 V [ES 模式] -12 – 12 V,分辨率 0.1 V [CMA 模式] |
光束位置(像素,像素) | 分辨率 0.01 毫米,中間位置 ±5 毫米 |
掃描區域(Δx、Δy) | 10 毫米× 10 毫米,分辨率 0.01 毫米 |
掃描速度(時間/點) | 20 μs – 30 ms |
定時器 | 雙模定時器 0s – 99h 59m |
真空測量(可選) | CTR90, TTR91, TTR211, PTR225, PTR90, ITR90, ITR100, Baratron, 模擬輸入, MKS937A, PG105, MG13/14, PKR251/360/361, PCR280, ATMION |
通信接口 | RS232/485,以太網 |
通信協議 | MODBUS-TCP |
用戶界面 | 7“ TFT 顯示屏,帶觸摸屏,數字編碼器 |
界面語言 | 英語, 德語, 波蘭語 |
尺寸 | 483 x 133 x 435 mm(寬 x 高 x 深),19“ 機架安裝式 |
重量(大約) | 9.2 千克 |
應用:
ES40-PS電源旨在與ES40C1低能電子源或雙通迷你圓柱鏡分析儀CMA 40CF配合使用。電源允許微調電子束輪廓,以在高能量和發射電流下實現小光斑。
選項:
– 軟件控制(專業版、擴展版或庫模塊),
– 用于真空測量的模擬 I/O 卡(1 個儀表)。