應用：金屬單晶是基礎研究（表面物理、催化化學、材料性能研究等）、單色儀（X射線、中子等）和電子（W針、LaB6、CeB6等）所必需的。
特性：我們的晶體質量以特別高的鑲嵌性為特征。在表面應用過程中，將特別強調晶體方向的取向精度（取向精度）。
特別仔細的表面處理（拋光）允許在低熱量和濺射循環后直接研究高達幾個1000nm的核平臺。
元素的鑲嵌性：鑲嵌性描述了晶體完美結構的偏差。它是描述反射X射線射流的偏差和理想反射角度的角度規范。
小角度代表完美的晶體結構。
定位精度：高達<0.05°
拋光：粗糙度<1nm（也適用于Au或Pb等軟元素）
金屬單晶的生產是在大多數具有最高質量要求的現代化設備中進行的。
對于使用Bridgman、Czochralski和區域熔化技術的晶體生長，只使用最高純度的起始材料。
| Metal single crystal | Purity | Information |
|---|---|---|
| Aluminium – Al | 6N | |
| Antimony – Sb | 6N2 | |
| Bismuth – Bi | 5N | |
| Cadmium – Cd | 5N | |
| Chromium – Cr | 5N | |
| Cobalt – Co | 4N | |
| Copper – Cu | 5N | |
| Dysprosium – Dy | 3N5 | |
| Gadolinium – Gd | 4N | |
| Germanium – Ge | 6N | |
| Gold – Au | 5N | |
| Hafnium – Hf | 4N ex Zr | |
| Holmium – Ho | 3N5 | |
| Indium – In | 6N | |
| Iridium – Ir | 4N | |
| Iron – Fe | 4N | |
| Lead – Pb | 5N | |
| Lithium – Li | 2N8 | |
| Magnesium – Mg | 5N | |
| Molybdenum – Mo | 4N | |
| Nickel – Ni | 4N | |
| Niobium – Nb | 4N | |
| Palladium – Pd | 5N | |
| Platinum – Pt | 4N | |
| Rhenium – Re | 4N | |
| Rhodium – Rh | 4N | |
| Ruthenium – Ru | 4N | |
| Silicon – Si | 5N | |
| Silver – Ag | 5N | |
| Tantalum – Ta | 4N | |
| Tellurium – Te | 6N | |
| Tin – Sn | 6N | |
| Titanium* – Ti | 4N | |
| Tungsten – W | 5N | |
| Vanadium – V | 4N | |
| Yttrium – Y | 3N5 | |
| Zinc – Zn | 6N | |
| Zirconium – Zr | 4N ex Hf* |
*晶體尺寸限制在幾毫米以內
以下合金可用：Cu2Ce、CuAu、Cu3Au、Cu3Pd、Cu3Pt、Cu75Mn25、CuNi、CoAl、CoGa、FeAl、FeCr、Fe85Cr15、Fe64Ni36、Fe80Ni20、Nb90W10、NiAl、Ni3Al、Ni3Al（+Fe）、NiFe、Pd97Ni3、Pt7Ni、Pt75Ni25、Pt48Ni52、Pt3Cu、PtCo3、Pt3Cr、Pt10Pd90、PtPd、Pt90Pd10、PtRh、Pt80Rh20、Pt90Rh10、Pt95Rh5、TbCu2、V3 Si、W99Re1、HfC、TaC、ZrC、NbC、MoC、TiC、VC、Ag10Zn、Bi2Te3、Co50Ga50、Cu91Al9、Cu75Pd25、Cu75Pt25、Cu70Zn30、Fe98Al2、Fe85Al15、Fe53Al47、Fe85Cr15、Fe86Cr14、Fe82,5Cr17,5、Fe80Cr20、Fe77,5Cr22,5、Fe75Cr25、FeCr16Ni10Mn2Mo2、FeCr17Ni12Mo3、Fe96Ni4、LaB6、NbSi2、NiAl、Ni3Al、Ni85 Cr15、Ni80Fe20、Ni70Fe30、Ni3Pt、Pd70Au30、Pd3Au、Pd1Ag、Pd3Zr、Pt3Co、Pt3Ni、PtPd、Pt3Ti、Pt50Rh50、SmCo5、Si50Mn50、Ti50Al50、TiC、VO、W2Re、W4Re、ZrC。
定位和拋光
為上述晶體提供的標準取向適用于立方晶系（001）、（110）和（111），適用于六方晶系（0001）、（10-10）和（11-20）。當然，也可以產生諸如（117）、（221）或（112）的其他取向。切割晶體取向的標準精度在<2°以內。通過表面拋光，可以實現<0.1°的精度。不同晶體的拋光過程非常緩慢，可能的話采用化學機械拋光。獲得了優于<0.03μm的表面粗糙度。基于這種拋光，可以通過幾個濺射和加熱循環或火焰退火來制備原子級光滑的表面。（特高壓表面處理的配方可應要求提供）。給定小于0.1°的定向精度，可實現數千埃的階地寬度。
晶體幾何形狀
金屬單晶通常被拉成棒狀。根據金屬的不同，棒直徑可以設置為幾毫米到100毫米之間的值。這些棒可以作為原始晶體供應，而無需進一步成型或切割成圓盤。標準圓盤厚度為1mm。根據要求提供更厚或更薄的光盤。晶體幾何形狀根據客戶的規格通過火花侵蝕成型。特殊的幾何形狀、凹槽、孔和參考面（例如，指示第二個方向）是可能的，沒有問題。下面列出了一些常見的例子。對于水晶報價或訂單，只需填寫您想要的尺寸并將這些圖紙發送給我們。-如果您的設計不包括在內，請將您的圖紙或手繪草圖傳真給我們。
“Hat form” with indication of second orientation:
Circular groove, reference face to mark a second orientation and hole for a thermocouple:
Holes for keeping crystal in place:
