奧地利Roithner lasertechnik SIC碳化硅紫外光電二極管
SiC具有極高的輻射硬度、近乎完美的可見盲性、低暗電流、高速度和低噪聲的獨特特性。這些特性使SiC成為用于可見光盲半導體紫外線探測器的最佳材料。SiC探測器可以在高達170°C（338°F）的溫度下永久運行。信號的溫度系數（響應度）也很低，<-0.1%/K。
由于低噪聲（暗電流，在fA范圍內），可以可靠地測量非常低的紫外線輻射強度。請注意，此設備需要一個合適的放大器。SiC光電二極管可作為未經濾波的寬帶器件或具有僅提供UV-A、UV-B或UV-C靈敏度或紅斑作用曲線順應性的濾光器。
碳化硅紫外光電二極管
基于 SiC（碳化硅）的紫外光電二極管具有以下獨特特性
- 極端的輻射硬度，
- 近乎完美的可見失明，
- 低暗電流，
- 高速度和低噪音。
這些 SiC 探測器可在高達 170°C 的溫度下永久運行
Roithner lasertechnik帶 TIA 的碳化硅紫外光電二極管
在 TO-5 金屬罐外殼中集成跨阻放大器的碳化硅 UV 光電探測器。
- 0…5V穩定輸出電壓
- 無需外部放大器
- 可根據要求提供高達 18 W/cm2 的輻照度和 UVA、-B、-C 版本
