• 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC）
• 1.00 mm2 探測器面積
• 扁平 TO18 密封金屬外殼，1 個隔離引腳和 1 個外殼引腳
• 在 280 nm 處 10 μW/cm2 的照射（峰值響應度）產生的電流約為 16 nA
• 據報道，具有 PTB 的 SiC 芯片具有高輻射硬度

關于 sglux SiC UV 光電二極管

SiC 具有極高的抗輻射性、近乎完美的可見盲、低暗電流、高速和低噪聲等獨特特性。這些特性使 SiC 成為可見盲半導體紫外檢測器的最佳可用材料。根據標準，SiC 探測器可以在高達 170°C 的溫度下永久運行。 提供 350°C 版本。
溫度系數也很低，< 0.1%/K。由于噪聲低（暗電流在 fA 范圍內），可以可靠地測量非常低的紫外線輻照度。請注意，此設備需要合適的信號傳感器（參見第 3 頁的典型電路）。光電二極管提供 7 種不同的有源芯片面積，從 0.06 mm2到 36 mm2 不等。標準版本為寬帶 UVA-UVB-UVC。四個濾波版本可實現更嚴格的靈敏度范圍。全光電二極管具有密封金屬外殼（TO 型），直徑為 5.5 mm （TO18） 或 9.2 mm （TO5）。其他選項包括 2 針接頭（1 個隔離，1 個接地）或 3 針接頭（2 個隔離，1 個接地）以及用于 200 nm 以下真空紫外線測量的 SG03 系列或用于增強 UVA 靈敏度范圍的 6H 系列， SMD 封裝的光電二極管和具有圓形有源的光電二極管可實現更均勻的視場。

規格：