Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes

代理Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光電二極管

代理Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光電二極管

  • UVA
  • 0.50 mm?2檢測器區域
  • TO5密封的金屬外殼,1個孤立的銷釘和1個針銷
  • 在331 nm處的10 μW/cm?2輻射(峰值響應率)導致電流約為。 2.3 NA
  • SIC芯片與PTB報告高輻射硬度

碳化硅(SiC)具有獨特的極端抗輻射性、近乎完美的可見光盲性、低暗電流、高響應速度和低噪聲等特性,這些特性使其成為目前可見光盲半導體紫外探測器的最佳材料。Sglux的SiC探測器標準版本可長期在170°C高溫下穩定工作,另提供350°C高溫定制版本。其溫度系數極低(<0.1%/K),配合fA級的超低噪聲(暗電流),可精準測量極微弱的紫外輻照度。

Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光電二極管規格:

Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光電二極管圖紙:

我什么時候需要一個寬帶光電二極管,什么時候需要UVA,UVB,UVC或UV索引過濾的光電二極管?

默認情況下,未過濾的寬帶SIC用于紫外線測量。如果紫外線源還會發出不得有助于傳感器信號的輻射(例如,用于水或空氣純化的UV培養基燈也應發出非胚胎紫外線輻射),則應選擇過濾后的SIC檢測器(UVC,UVB+C或僅UVA)。


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