德國Sglux紫外線 TOCON帶集成信號放大器的光電二極管
–基于 SiC 的 UV 傳感器,帶集成放大器和 0 – 5 V 電壓輸出
–測量強度從 1.8pW/cm2 到 18W/cm2
–寬帶 UV 的光譜響應或針對 UVA、UVB、UVC 或 UV 指數進行過濾的光譜響應
–也可用于藍光(GaP 芯片)或可見光(硅芯片)測量。
–采用 TO5 外殼或微型傳感器探頭(不銹鋼或塑料)。
–提供用于氫氣火焰傳感 (TOCON_F) 和火災探測 (TOCON_N) 的特殊 TOCON。
–也可用于高達 120°C(標準為 85°C)的工作溫度。
寬帶紫外線?
光譜靈敏度為 227 至 360 nm,峰值波長 290 nm, 按輻照度排序。
UVA 紫外線
光譜靈敏度為 309 至 367 nm,峰值波長 331 nm, 按輻照度排序。
UVB 系列
光譜靈敏度為 243 至 303 nm,峰值波長為 280 nm, 按輻照度排序。
紫外線
光譜靈敏度為 225 至 287 nm,峰值波長 275 nm, 根據 DVGW W 294-3:2006 和 OENORM M5873 和 DIN 19294, 按輻照度排序。
紫外線指數(紅斑)
用于根據 ISO 17166 標準的紫外線指數測量, 按輻照度排序。
藍光?
光譜靈敏度為 390 至 515 nm,峰值波長 445 nm, 對于藍光測量,按輻照度排序。
磷化鎵 (GaP)
光譜靈敏度為 240 至 560 nm,峰值波長 445 nm, 用于 UV + VIS 測量,按輻照度排序。
硅(Si)
對于勒克斯測量,V-Lambda 加權,光譜靈敏度為 390 至 800 nm,峰值波長為 560 nm,按輻照度排序。
- 德國技術用于水和表面凈化、醫療技術、火焰檢測、油墨和聚合物固化。
SGLUX成立于2003年,是一個由科學家、工程師和生產、質量和物流專業人士組成的團隊。我們在紫外線測量元件的開發、生產和校準領域擁有 140 多年的經驗。我們因生產簡單優質的紫外線傳感器的熱情而團結在一起 – 幾年來,我們在德國最大的科技園區 Berlin-Adlershof 的自有大樓里從事這項工作。我們的客戶欣賞我們的專業知識、強烈的客戶導向以及我們在 UV 測量價值鏈中的解決方案專業知識。我們的產品系列采用模塊化概念,從生產 SiC 光電二極管晶片、SiC 光電二極管和 SiC 混合體 (TOCON) 到物聯網就緒傳感器探頭、輻射計和 PTB 認證校準標準。德國Sglux碳化硅(SiC)紫外光電二極管
紫外光電二極管常見問題解答:為什么有些光電二極管具有不同的芯片有效面積?
-摘要:
降低輻照度需要增加芯片有效面積。如果要測量的輻照度未知,則應使用 L 芯片光電二極管進行原型設計。
詳細答案:
芯片的有效面積決定了光電探測器可以收集多少個光子。半導體探測器,如 SiC 紫外光電二極管,將光子轉換為電流,即光電流 I。該光電流隨芯片的輻照度和有效面積線性增加。由于探測器的價格隨著有效面積的增加而增加,因此面積的選擇本質上是成本和光電流之間的折衷。 如果您知道希望使用 UV 光電二極管測量的最小和最大輻照度,以下簡化公式給出了給定芯片有效面積 AChip 的光電流 I 的粗略估計值。I=Achip *Eλ *1000,其中 I 是以 nA 為單位的光電流,A 是以 mm2 為單位的有效芯片面積(輸入值 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1 或 1.82 或 7.6 或 36),Eλ 是您想要測量的紫外線光源的光譜輻照度,單位為 mW/cm2。最小電流(待測最低輻照度下的光電二極管輸出)應不小于 500pA。如果您不知道 Eλ,則應使用 L 芯片 (1.00mm2) 型光電二極管進行第一步評估。什么時候需要寬帶光電二極管,什么時候需要用于 UVA、UVB、UVC 或 UV 指數的濾波光電二極管?
-對于 UV 測量,默認
-使用未濾波的寬帶 SiC 詳細:
默認情況下,未濾波的寬帶 SiC 用于 UV 測量。如果紫外線源還發出對傳感器信號沒有影響的輻射(例如,用于水或空氣凈化的紫外線中壓燈也發出非殺菌紫外線輻射),則應選擇過濾后的 SiC 檢測器(僅限 UVC、UVB+C 或 UVA)。你們生產 SMD 型光電二極管嗎?
-摘要:
可以,但我們不建議使用它們。
詳細解答:
是的,我們制造 3535 SMD 型光電二極管(陶瓷封裝),但我們建議使用金屬 TO 光電二極管。光電二極管芯片在帶有熔融玻璃窗口的金屬 TO 外殼中的封裝和氣密密封是一種成熟且極其可靠的工藝,已經使用了 50 多年。TO 封裝的 sglux SiC UV 光電二極管通常是產品中最可靠、最耐用的元件,即使暴露在非常高的紫外線輻射下或在高溫水平下運行也是如此。 然而,長壽命 UV LED(也是 UVC 系列)的最新開發進展允許用這些 LED 取代 UV 低壓管,從而顯著減小產品尺寸。紫外線透射率測量模塊或使用點 LED UVC 消毒模塊等產品的小型化使我們的客戶能夠進入新的應用領域。有時,我們的 TO 封裝 UV 光電二極管被認為太笨重。 我們的 SiC SMD 光電二極管系列專為這些應用而設計。該封裝由陶瓷體和礦物窗口玻璃組成,使這些 SMD 光電二極管盡可能可靠。然而,TO 型光電二極管在耐用性、可靠性和價格方面仍然是最佳選擇。您生產具有 2 個引腳和 3 個引腳的光電二極管。第三個引腳有什么用?
-總結:
默認情況下,使用 2 引腳光電二極管。
詳細解答:
默認情況下,使用 2 引腳光電二極管。一個引腳連接到光電二極管的金屬體和陽極。另一個引腳被隔離并連接到陰極。3 引腳光電二極管的特點是兩個隔離引腳(連接到陽極和陰極)和一個連接到金屬外殼的引腳。如果光電二極管封裝與客戶產品的金屬部件接觸,則使用 3 引腳光電二極管。SiC 光電二極管的響應時間是多少?
-摘要:
響應時間約為 190ps (FWHM)。
詳細解答:
在柏林亥姆霍茲中心,對 266 nm fs 激光脈沖的脈沖激發進行了研究。測得的 SiC 光電二極管的響應時間由 0 V 偏置電壓下 7 ns 的衰減常數決定。在最大偏置電壓為 -160 V 時,它以指數關系收斂到 3.5 ns。 上升時間不能用可用的設置精確測量,但比 80 ps (sigma) 快,即約 190 ps (FWHM)。光電二極管的飽和度如何?
-總結:
SiC 光電二極管的飽和功率約為 4.2 kW/cm2。如此高的輻照度是非常不尋常的。
詳細解答:
光電二極管的飽和電流 Isat 由其開路電壓 VOC 和串聯電阻 RS 根據公式確定:Isat = VOC / RS VOC 的典型值(SiC 光電二極管)為 2.0 V,RS = 5 歐姆。這得到 Isat = 2.0 V / 5 歐姆 = 0.4 A = 400 mA。 飽和輻射強度 z 使用以下公式計算:z = Isat / (S * A) 其中 S 是光電二極管的靈敏度,A 是有效區域。S 的典型值為 0.16 A/W,A = 0.06 mm2(對 SG01S 有效)。由此得出:zsat = 0.4 A / (0.160 A/W * 6 * 10-8 m2) = 約 42 MW/m2 = 4.2 kW/cm2。如此高的輻照度是非常不尋常的。然而,一些激光測量應用可以在短時間內達到這樣的輻照度水平。這可能會影響光電二極管的輸出電流。請聯系我們以獲取更多信息。光電二極管防水嗎?
-是的,光電二極管是密封的,因此具有防水性能。但是,背面的觸針不得與水和濕氣接觸。這將影響光電二極管的輸出電流。