Sglux探測器、Sglux UVC紫外光電二極管

UVC

光譜靈敏度從225到287納米，峰值波長275納米，
根據DVGW W 294-3:2006和OENORM M5873和DIN 19294，
可提供控制UVC LED的特殊版本，不同包裝，按檢測器區域分類。

SG01S-C18

UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，TO18外殼

SG01S-C18-LED

用于UVC LED測量的UVC光電二極管，芯片有效面積= 0.06 mm，TO18外殼

SG01S-C18D

UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，帶擴散片，TO18外殼

SG01S-C18ISO90

UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，TO18外殼，隔離

SG01S-C18ISO90D

UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，帶擴散器，TO18外殼，隔離

SG01S-C5

UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，TO5外殼

SG01M-C18

UVC，芯片有效面積= 0.20毫米，TO18外殼

SG01M-C18ISO90

UVC，芯片有效面積= 0.20 mm，TO18外殼，隔離

SG01M-C5

UVC，芯片有效面積= 0.20 mm，TO5外殼

SG01M-C5ISO90

UVC，芯片有效面積= 0.20 mm，TO5外殼，隔離

SG01M-C5D

UVC，芯片有效面積= 0.20 mm，帶擴散片，TO5外殼

SG01D-C18

UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO18外殼

  • UVC
  • 0.50毫米2探測器靈敏面積
  • TO18密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。8 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-C18ISO90

UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO18外殼，隔離

  • UVC
  • 0.50毫米2探測器靈敏面積
  • TO18密封金屬外殼，兩個隔離引腳，一個附加接地引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。8 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-C18D

UVC，芯片有效面積= 0.5 mm，帶擴散片，TO18外殼

  • UVC
  • 0.5毫米2探測器靈敏面積
  • 使用擴散器在孔徑上產生朗伯響應
  • TO18密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。0.9納
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-C5ISO90

UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO5外殼，隔離

  • UVC
  • 0.50毫米2探測器靈敏面積
  • TO5密封金屬外殼，兩個隔離引腳，一個附加接地引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。8 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-C5鏡頭

UVC，芯片有效面積= 0.50毫米，TO5鏡頭蓋

  • UVC
  • 0.50毫米檢測器面積
  • TO5密封金屬外殼，帶聚光透鏡
  • 在275納米(峰值響應度)下10瓦/厘米的輻射產生大約100瓦的電流。42納
  • 1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-C5D

UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，帶擴散片，TO5外殼

  • UVC
  • 0.50毫米2探測器靈敏面積
  • 使用擴散器在孔徑上產生朗伯響應
  • TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。0.9納
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01L-C18

UVC，芯片有效面積= 1.00毫米，TO18外殼

  • UVC
  • 1.00毫米2探測器靈敏面積
  • TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。16 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01L-C5

UVC，芯片有效面積= 1.00毫米，TO5外殼

  • UVC
  • 1.00毫米2探測器靈敏面積
  • TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。16 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01L-C5D

UVC，芯片有效面積= 1.00 mm，帶擴散片，TO5外殼

  • UVC
  • 1.00毫米2探測器靈敏面積
  • 使用擴散器在孔徑上產生朗伯響應
  • TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。2 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01F-C5

UVC，芯片有效面積= 1.82 mm，TO5外殼

  • UVC
  • 1.82毫米2探測器靈敏面積
  • TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 1瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。3 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01XL-C5

UVC，芯片有效面積= 7.60 mm，TO5外殼

  • UVC
  • 7.60毫米2探測器靈敏面積
  • TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
  • 10瓦/厘米2在275納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。120 nA
  • 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

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