磷化鎵(GaP)
光譜響應(yīng)范圍240至560納米，峰值波長(zhǎng)445納米，
適用于紫外+可見(jiàn)光測(cè)量

GaP光電二極管
紫外+可見(jiàn)光測(cè)量，芯片有效面積=0.51平方毫米，TO5封裝，極低溫度系數(shù)磷化

鎵(GaP)光電二極管
寬頻段UVA+可見(jiàn)光響應(yīng)，極低溫度系數(shù)
0.51 平方毫米探測(cè)面積
TO5密封金屬外殼封裝，1個(gè)獨(dú)立引腳和1個(gè)外殼引腳
在10微瓦/平方厘米的峰值輻射下產(chǎn)生約6.5納安電流
采用GaP芯片

Sglux GaP光電二極管、Sglux磷化鎵光電二極管、Sglux鎵GaP光電二極管