SiC UV Photodiodes–Broadband UV

碳化硅紫外光電二極管

光譜靈敏度從221到358納米，峰值波長280納米，
不同的包裝，按探測器區域分類。

型號：

SG01S-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.06毫米，TO18外殼

SG01S-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.06毫米，TO18短帽

SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，TO18外殼，隔離

SG01S-18D
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.06 mm，帶擴散片，TO18外殼

SG01S-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.06毫米，TO5短帽

SG01M-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.20毫米，TO18外殼

SG01M-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.20毫米，TO18短帽

SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.20 mm，TO18外殼，隔離

SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC，6H SiC芯片，芯片有效面積= 0.20 mm，TO18外殼

SG01M-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.20毫米，TO5短帽

SG01M-5透鏡
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.20毫米，TO5鏡頭蓋，根據EN298標準(火焰檢測，還有H2燃燒器)

SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC，6H SiC芯片，芯片有效面積= 0.20 mm，TO5短帽

SG01D-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO18外殼

SG01D-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50毫米，TO18短帽

SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO18外殼，隔離

SG01D-18D
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，帶擴散片，TO18外殼

SG01D-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO5短帽

SG01D-5透鏡
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50毫米，TO5鏡頭蓋，根據EN298標準(火焰檢測，還有H2燃燒器)

SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 0.50 mm，TO5短帽，隔離

SG01L-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.00毫米，TO18外殼

SG01L-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.00毫米，TO18短帽

SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.00 mm，TO18外殼，隔離

SG01L-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.00毫米，TO5短帽

SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.00 mm，TO5短帽，隔離

SG01L-5透鏡
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.00毫米，TO5鏡頭蓋

SG01L-SMD
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1，00 mm，3535 SMD陶瓷外殼，帶礦物窗玻璃材料

SG01F-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 1.82 mm，TO5短帽，隔離

SG01XL-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 7.60 mm，TO5外殼

SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 7.60 mm，TO5短帽，隔離

SG01Q-5
UVA+UVB+UVC，象限光電二極管，芯片有效面積= 4 x 1.4 mm，TO5短帽

SG01XXL-8ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面積= 36.00 mm，TO8短帽，隔離