SiC UV Photodiodes碳化硅紫外光電二極管

主要特征：

• 有效面積從0.06 mm到36 mm，象限光電二極管用于位置檢測(cè)
• 寬帶紫外線的光譜響應(yīng)或過濾的UVA、UVB、UVC或紫外線指數(shù)
• 提供各種入口光學(xué)器件和外殼選項(xiàng)(TO或SMD)
• 自2009年以來我們自己的SiC光電二極管芯片生產(chǎn)
• 還提供VUV靈敏度
• PTB(德國相當(dāng)于NIST或NPL)測(cè)量高輻射硬度
• 提供350°C高溫穩(wěn)定光電二極管
• 光電二極管應(yīng)用指南