Sglux-SiC UV Photodiodes碳化硅紫外光電二極管

SiC UV Photodiodes碳化硅紫外光電二極管

主要特征:

  • 有效面積從0.06 mm到36 mm,象限光電二極管用于位置檢測
  • 寬帶紫外線的光譜響應(yīng)或過濾的UVA、UVB、UVC或紫外線指數(shù)
  • 提供各種入口光學(xué)器件和外殼選項(xiàng)(TO或SMD)
  • 自2009年以來我們自己的SiC光電二極管芯片生產(chǎn)
  • 還提供VUV靈敏度
  • PTB(德國相當(dāng)于NIST或NPL)測量高輻射硬度
  • 提供350°C高溫穩(wěn)定光電二極管
  • 光電二極管應(yīng)用指南

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