美國Silicon Materials 2英寸 (50.8mm)硅晶圓 硅晶片 優質晶圓和測試晶圓 厚度250–1800微米

產品

Silicon Materials, Inc. 提供多種規格的晶圓及相關服務，滿足半導體行業的不同需求。晶圓制造過程完全透明。所有晶圓生產從初始的多晶硅批次到最終包裝均可追溯。產品的穩定性源于對整個制造周期的嚴格控制。

主要原材料：采用美國生產的原生半導體級多晶硅。

晶圓產品

  1. CZ（直拉法）晶圓
  2. FZ（浮區法）晶圓
    • 尺寸范圍：50.8mm 至 150mm
    • 類型：優質晶圓（Prime）
  3. 摻雜類型
    • 硼（Boron）、磷（Phosphorous）、銻（Antimony）、砷（Arsenic）
    • 未摻雜 CZ 晶圓（Undoped CZ）
    • 本征晶圓（Intrinsic）
  4. 晶向
    • 標準晶向：<100>、<111>、<110>、<112>
    • 可根據客戶需求提供定制切割規格
  5. 厚度和幾何參數
    • 符合 SEMI 標準或客戶指定要求
    • 當前能力：大多數直徑的晶圓厚度范圍為 250 – 1800 微米
  6. 質量控制
    • 所有晶圓均由 SMI 生產或由 SMI 認證/擔保的供應商提供

定制薄膜和服務

  • 提供定制薄膜沉積服務，滿足特定應用需求。
  • 其他相關服務可根據客戶需求定制。

優勢

  • 高質量：嚴格的質量控制和生產流程，確保產品一致性。
  • 靈活性：支持客戶定制需求，包括尺寸、摻雜、晶向和厚度。
  • 可靠性：所有產品均可追溯，確保透明度和可信度。

2 英寸（50.8毫米）硅晶圓規格

材料特性

參數特性ASTM 控制方法
生長方法直拉法（Cz）、浮區法（Fz）–
類型/摻雜P 型 – 硼（Boron）
N 型 – 磷（Phosphorous）
N 型 – 銻（Antimony）
N 型 – 砷（Arsenic）
未摻雜（Undoped）		F42
晶向<100>、<111>、<110>，可根據客戶要求提供切割方向（slice ON 或 slice OFF）F26
氧含量10-19 ppmA，可根據客戶要求提供定制公差F121
碳含量< 1.0 ppmA，可根據客戶要求提供定制公差F123
電阻率范圍– P 型（硼）：0.001 – 50 歐姆·厘米
– N 型（磷）：0.1 – 40 歐姆·厘米
– N 型（銻）：0.005 – 0.025 歐姆·厘米
– N 型（砷）：< 0.005 歐姆·厘米		F84

機械特性

參數Prime APrime BTestASTM 方法
直徑2″ ± 0.008″2″ ± 0.008″2″ ± 0.015″F2074
厚度279 ± 20 μm（標準）
381 ± 20 μm
450 ± 20 μm
500 ± 20 μm
750 ± 20 μm
1000 ± 20 μm		279 ± 25 μm（標準）
381 ± 25 μm
450 ± 25 μm
500 ± 25 μm
750 ± 25 μm
1000 ± 25 μm		279 ± 25 μm（標準）
381 ± 25 μm
450 ± 25 μm
500 ± 25 μm
750 ± 25 μm
1000 ± 25 μm		F533
TTV（總厚度變化）< 5 μm< 10 μm< 15 μmF657
彎曲度（Bow）< 38 μm< 38 μm< 38 μmF534
翹曲度（Warp）< 38 μm< 38 μm< 38 μmF657
邊緣倒角符合 SEMI 標準––F928
標記僅主 SEMI 平邊，提供 SEMI 標準平邊、缺口或圓形邊緣F26, F671

表面質量

參數Prime APrime BTestASTM 方法
正面標準
表面狀態化學機械拋光（CMP）––F523
表面粗糙度< 2 ?< 2 ?< 2 ?–
污染顆粒（>0.3 μm）< 15< 15< 15F523
霧度、凹坑、橘皮無無無F523
鋸痕、條紋無無無F523
背面標準
裂紋、鋸痕、污漬無無無F523
表面狀態堿蝕刻––F523

包裝選項

包裝類型包裝袋描述
2 部分晶圓盒，2 袋透明立體袋，A/S 藍色平袋
3 部分晶圓盒，2 袋透明立體袋，A/S 藍色平袋
單晶圓運輸盒，3 袋透明立體袋，鋁制立體袋，A/S 藍色平袋

備注

  • 所有規格可根據客戶需求進行調整。
  • 提供符合 SEMI 標準或客戶指定要求的定制服務。

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