美國TERASENSE THZ太赫茲源 IMPATT二極管

TeraSense系列的太赫茲源（IMPATT二極管）由硅雙漂移二極管構成，具有0.6微米的過渡區，并安裝在銅散熱器上。雙漂移二極管中的層包括：重摻雜（p+）區、適度摻雜（p+）區、適度摻雜n區和重摻雜（n+）區。（p+）和（n+）區允許與外部電路進行歐姆電接觸。該裝置依賴于負電阻來產生和維持振蕩。

TeraSense現已推出升級版太赫茲源。升級版IMPATT二極管配備了保護隔離器，顯著提高了輸出功率的穩定性。從現在起，您可以選擇配備開放WR法蘭或可拆卸喇叭天線的IMPATT二極管。優化頻率@100 GHz的太赫茲源的典型輸出射頻功率可達到2 W。

此外，TeraSense的太赫茲源具有符合人體工程學的設計，使用簡便。公司還可根據需求提供配有衰減器和開關部分的太赫茲發射機。

太赫茲源規格：

太赫茲源100 GHz

• 輸出射頻功率：> 80 mW, 180 mW, 400 mW, 0.8 W, 2 W
• 輸出類型：錐形喇叭天線/法蘭型輸出
• 保護隔離器
• TTL調制

太赫茲源140 GHz

• 輸出射頻功率：> 30 mW, 80 mW, 180 mW
• 輸出類型：錐形喇叭天線/法蘭型輸出
• 保護隔離器
• TTL調制

太赫茲源200 GHz

• 輸出射頻功率：> 40 mW, 70 mW, 200 mW
• 輸出類型：對角喇叭天線/法蘭型輸出
• TTL調制

太赫茲源300 GHz

• 輸出射頻功率：290 GHz > 10 mW, 290 GHz > 30 mW, 290 GHz > 50 mW, 290 GHz > 80 mW
• 輸出類型：對角喇叭天線/法蘭型輸出
• TTL調制