美國TERASENSE TERA系列太赫茲成像相機
這些探測器采用GaAs高遷移率異質結構在標準半導體工藝中使用常規光刻技術制造。成像傳感器在單片晶圓上制造,這一過程確保了等離子體探測器參數的高度均勻性和可重復性(像素間的響應度偏差在20%的范圍內)。每個探測單元在室溫下的響應度最高可達50 kV/W,配備讀取電路,噪聲等效功率為1 nW/√Hz,工作頻率范圍為10 GHz至1 THz。探測機制基于在二維電子系統中激發等離子體振蕩并隨后的整流過程。整流發生在電子系統中通過特殊缺陷所形成的區域。
我們的太赫茲相機是主動探測設備,需要外部太赫茲源。我們提供基于IMPATT技術的亞太赫茲波源。所有我們的TERA系列太赫茲成像相機都采用相同類型的探測器,具有相同的能力和空間分辨率。不同型號之間的區別在于傳感器陣列中的像素數量及其有效成像面積。
- 256 像素(16 x 16 陣列)
- 1.5 毫米像素間距
- 噪聲等效功率(NEP)= 1 nW/√Hz
- 設備尺寸:11.6 cm x 11.6 cm x 4.5 cm
- 1024 像素(32 x 32 陣列)
- 1.5 毫米像素間距
- 噪聲等效功率(NEP)= 1 nW/√Hz
- 設備尺寸:11.6 cm x 11.6 cm x 4.5 cm
- 4096 像素(64 x 64 陣列)
- 1.5 毫米像素間距
- 噪聲等效功率(NEP)= 1 nW/√Hz
- 設備尺寸:16.5 cm x 16.5 cm x 4.5 cm
- 圖像采集速率:5000 fps(5 kHz)
- 掃描速度:最高 15 m/秒(900 m/分鐘)
- 每像素最小可檢測功率:100 nW(在 5000 fps 時)
- 256 像素(256 x 1 陣列)— 可根據需要擴展
- 3 x 1.5 毫米像素尺寸
- 噪聲等效功率(NEP)= 1 nW/√Hz