隨著鍍膜技術應用越來越廣泛，越來越多的客戶來咨詢真空鍍膜。真空鍍膜設備中，有一個重要的部件，就是離子源。那么，常用的離子源究竟有哪些呢?
我們先來了解一下，什么是離子源？
離子源是使中性原子或分子電離,并從中引出離子束流的裝置，隨著離子源技術的不斷發展，其在鍍膜中應用也越來越廣泛，對離子源本身的要求也越來越高。離子源技術有多種多樣，如何選擇合適的離子源成為了鍍膜應用中的重要環節。
離子源是各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕及清洗裝置、離子束濺射裝置、離子束輔助沉積裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設備的不可缺少的部件。
離子源的起源源于空間推進器的制造，在離子源推進器試驗中，人們發現有推進器材料從離子源飛出，這就開始了離子源在材料，尤其是材料表面改性的應用。20世紀60年代，美國Kaufman教授主持研制的寬束低束流密度的離子轟擊電推進器為帶柵網的離子源，被稱為考夫曼離子源（Kaufman）；而蘇聯則以霍爾離子源（End-Hall）為主。
常見的離子源種類
柵網型離子源
考夫曼離子源由陰極加熱發射電子,電子被正偏壓陽極所吸引,由于受限于磁場的作用,電子在磁場軌道上漂移。當電子運動時,它們將電離通入工藝腔室的中性原子(分子)氣體從而產生等離子體。通過柵網對離子的約束作用,形成設定離子束。
●??放電室的線圈在電感耦合作用下產生等離子體
●??離子束及屏柵通過電源連接,使等離子體相對于地為正電位加速柵通過電源? ? ? ?連接,對地為負電位。通過屏棚篩選的離子束會進行加速
●??在柵網下游處,通過中和器向離子束注入電子形成電荷平衡
主要特點：
●??汽耗大，污染較為嚴重
●??束型約束較差
●??相比柵網型離子源束能低
●??主要適用于離子束輔助沉積及清洗
霍爾離子源
ICP射頻等離子體源的發射天線繞在電絕緣的石英放電室外邊，當通過匹配器將射頻功率加到線圈上時線圈中就有射頻電流通過,于是產生射頻磁，射頻磁通在放電室內部沿著軸向感應出射頻電場,其中的電子被電場加速,從而產生等離子體,同時線圈的能量被耦合到等離子體中，除了常規的采用很厚的石英罩將線圈包裹在真空中外,也有采用線圈不在真空中的設計結構,從而有效提高離子能量。
主要應用于：
●? ? 光學鍍膜領域可用于電子束輔助沉積以及磁控濺射輔助,主要是后氧化及后氮化太陽能行業可用于 PECVD沉積減反層、鈍化層、吸收層和阻擋層等
●? ? 顯示行業可用于 PECVD沉積阻隔膜、透明導電膜和透明硬質涂層等
●? ? 玻璃行業可用于表面活化及清洗、阻擋層及大面積沉積氧化物和氮化物
●? ? 裝飾鍍膜行業可用于氧化物和氮化物鍍膜及DLC鍍膜等
CCP 等離子源
主要應用于：
●? ??離子束刻蝕
●? ??PECVD沉積
●? ??離子束濺射
●? ??離子束拋光和清潔
●? ??離子束輔助沉積輔助
