Wafer Senor晶片傳感器
儀表化晶片(熱電偶、鍵合晶片或RTD)在半導體加工設備中得到應用，其中了解和控制晶片表面的溫度是至關重要的。
熱電公司的儀表化晶片正被用于許多行業(yè)，包括快速熱處理(RTP)、快速熱退火(RTA)、曝光后烘烤(PEB)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子注入、太陽能電池和許多其他熱驅動工藝。
Thermo Electric擁有設計和安裝熱電偶的專業(yè)知識，熱電偶安裝在各種襯底上，包括硅、AlTiC、玻璃、陶瓷和其他提供的裸襯底，涂覆的或圖案化的基底。其他定制基板，形狀和尺寸可用。
高達350°C的晶圓
TC-350H —高性能—溫度范圍(-50°C至350°C)
TC-350H使用盡可能小的傳感元件來減少熱質量并增加每個傳感器的響應時間。精心選擇用于制造傳感器的材料，以獲得最高的精度和最大的傳感器間一致性。
這種設計在了解和控制硅晶片表面的溫度至關重要的情況下得到應用。大多數制造商將他們的傳感器嵌入晶片的核心。該產品將測量重點放在發(fā)生最重要過程的晶圓表面。使用該產品時，您可以通過最精確的傳感元件位置獲得更快、更準確的響應時間。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業(yè)，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-350晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確和可靠的讀數。
TC-350D —重型—溫度范圍(-50°C至350°C)
TC-350D使用最堅固的部件來延長這些易碎產品的使用壽命。精心選擇用于制造傳感器的材料，以獲得最高的精度和最大的傳感器間一致性。
這種設計在了解和控制硅晶片表面的溫度至關重要的情況下得到應用。大多數制造商將他們的傳感器嵌入晶片的核心。該產品將測量重點放在發(fā)生最重要過程的晶圓表面。使用該產品時，您可以通過最精確的傳感元件位置獲得更快、更準確的響應時間。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業(yè)，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-350晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確和可靠的讀數。
高達700°C的晶圓
TC-700H —高性能—溫度范圍(-50°C至700°C)
TC-700H使用盡可能小的傳感元件來減少熱質量并增加每個傳感器的響應時間。精心選擇用于制造傳感器的材料，以獲得最高的精度和最大的傳感器間一致性。
這種設計在了解和控制硅晶片表面的溫度至關重要的情況下得到應用。大多數制造商將他們的傳感器嵌入晶片的核心。該產品將測量重點放在發(fā)生最重要過程的晶圓表面。使用該產品時，您可以通過最精確的傳感元件位置獲得更快、更準確的響應時間。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業(yè)，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-700晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確和可靠的讀數。
TC-700D —重型—溫度范圍(-50°C至700°C)
TC-700D使用最堅固的部件來延長這些易碎產品的使用壽命。精心選擇用于制造傳感器的材料，以獲得最高的精度和最大的傳感器間一致性。
這種設計在了解和控制硅晶片表面的溫度至關重要的情況下得到應用。大多數制造商將他們的傳感器嵌入晶片的核心。該產品將測量重點放在發(fā)生最重要過程的晶圓表面。使用該產品時，您可以通過最精確的傳感元件位置獲得更快、更準確的響應時間。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業(yè)，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-700晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確和可靠的讀數。
高達1200°C的晶圓
TC-1200 —高溫/高純度—溫度范圍(-50°C至1200°C)
TC-1200利用一種非常獨特的連接方法，允許在極高的溫度下工作。這種方法不使用粘合劑。相反，硅是通過激光焊接來固定傳感器的。
這不僅允許高溫操作，而且還創(chuàng)造了一個最干凈的設計。通過消除粘合劑，不可能有脫氣或其它不希望的情況。
這種設計在了解和控制硅晶片表面的溫度至關重要的情況下得到應用。大多數制造商將他們的傳感器嵌入晶片的核心。該產品將測量重點放在發(fā)生最重要過程的晶圓表面。使用該產品時，您可以通過最精確的傳感元件位置獲得更快、更準確的響應時間。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業(yè)，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-1200晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確和可靠的讀數。
BTC700H —薄型/高響應—最高溫度700°C
BTC-700H提供了一個配對晶片對的低姿態(tài)和精確的垂直對準，以確保快速和準確的響應。該產品將對典型晶圓焊接過程中出現(xiàn)的靜態(tài)和動態(tài)溫度變化做出響應。
BTC700適用于晶圓鍵合設備，在這種設備中，需要了解和控制配對硅片表面的溫度均勻性。MEMS、MOEMS、絕緣體上硅(SOI)、晶片級封裝和三維芯片堆疊是采用晶片鍵合的主要技術類別。
鍵合晶片可以由任何直徑的晶片制造，從而可以在技術上盡可能接近地遵循特定的鍵合工藝。作為該產品的用戶，您可以對晶圓焊接過程中出現(xiàn)的溫度變化做出快速、準確和可靠的響應。
RTD —低溫/高精度—最高溫度240°C
儀表化晶片RTD的工作原理是，某些金屬的電阻隨著溫度范圍以可重復和可預測的方式增加或減少。
與熱電偶晶片相比，RTD的儀表化晶片具有更高的精度和穩(wěn)定性，為半導體制造設備的監(jiān)控提供了額外的選擇。
RTDs傳感器在較長時間內保持初始精度的能力提供了溫度測量的可重復性。
