儀器化晶片（熱電偶、鍵合晶片或rtd）在半導體加工設備中得到應用，而了解和控制晶片表面的溫度是關鍵。
熱電公司的儀器化晶片被廣泛應用于許多行業，如快速熱處理（RTP）、快速熱退火（RTA）、曝光后烘烤（PEB）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、離子注入、太陽能電池和許多其他熱驅動工藝。
TC-350H-高性能-溫度范圍（-40°C至350°C）
TC-350H使用盡可能小的傳感元件來減少熱質量并增加每個傳感器的響應時間。用于制造傳感器的材料經過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設計在了解和控制硅片表面溫度至關重要的應用中得到了應用。大多數制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產品的測量重點放在晶圓表面最重要的過程發生的地方。在使用本產品時，您可以期望更快和更準確的響應時間，這是由傳感元件的最準確位置決定的。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-350晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確可靠的讀數。
TC-350D-重型-溫度范圍（-40°C至350°C）
TC-350D使用最堅固的部件來延長這些經常易碎的產品的壽命。用于制造傳感器的材料經過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設計在了解和控制硅片表面溫度至關重要的應用中得到了應用。大多數制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。本產品主要在晶圓表面進行ites測量，在晶圓表面進行最重要的工藝。在使用本產品時，您可以期望更快和更準確的響應時間，這是由傳感元件的最準確位置決定的。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-350晶圓產品采用熱電偶技術來產生最準確可靠的讀數。
TC-700H-高性能-溫度范圍（-40°C至700°C）
TC-700H使用盡可能小的傳感元件來減少熱質量并增加每個傳感器的響應時間。用于制造傳感器的材料經過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設計在了解和控制硅片表面溫度至關重要的應用中得到了應用。大多數制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產品的測量重點放在晶圓表面最重要的過程發生的地方。在使用本產品時，您可以期望更快和更準確的響應時間，這是由傳感元件的最準確位置決定的。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-700晶圓產品采用熱電偶技術產生最準確可靠的讀數。
TC-700D-重型-溫度范圍（-40°C至700°C）
TC-700D使用最堅固的部件來延長這些經常易碎的產品的壽命。用于制造傳感器的材料經過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設計在了解和控制硅片表面溫度至關重要的應用中得到了應用。大多數制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產品的測量重點放在晶圓表面最重要的過程發生的地方。在使用本產品時，您可以期望更快和更準確的響應時間，這是由傳感元件的最準確位置決定的。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-700晶圓產品采用熱電偶技術產生最準確可靠的讀數。
TC-1200-高溫/高純度-溫度范圍（-40°C至1200°C）
TC-1200利用了一種非常獨特的連接方法，允許超高溫操作。這種方法不使用粘合劑。相反，硅被激光焊接以固定傳感器。
這不僅允許高溫操作，還創造了一個最干凈的設計可用。通過消除粘合劑，不可能放氣或出現其他不良情況。
這種設計在了解和控制硅片表面溫度至關重要的應用中得到了應用。大多數制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產品的測量重點放在晶圓表面最重要的過程發生的地方。在使用本產品時，您可以期望更快和更準確的響應時間，這是由傳感元件的最準確位置決定的。
雖然這些產品通常用于整個半導體行業，但這項技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
RTD-低溫/高精度-儀表化晶圓電阻溫度探測器（RTD）-最高溫度240 C
儀器化晶圓rtd工作原理是在一定的溫度范圍內，某些金屬的電阻以可重復和可預測的方式增加或減少。
與熱電偶晶片相比，RTD的儀器晶片具有更高的精度和更高的穩定性，為監控半導體制造設備提供了額外的選擇。
RTDs傳感器在長時間內保持初始精度的能力提供了溫度測量的重復性。
