Thermo electric 晶圓,晶圓傳感器, 智能溫度傳感器,晶圓片,半導體硅晶圓,半導體晶圓,晶圓電阻,RTD晶圓電阻式溫度檢測器,電阻式溫度檢測器,RTDS傳感器, 硅片晶圓,6英寸,8英寸,12英寸晶圓,0~350℃晶圓

晶圓熱電偶、鍵合晶圓或RTD電阻式溫度檢測器)在半導體加工設備中得到應用,在半導體加工設備中,了解和控制晶圓表面的溫度至關重要。
Thermo electric的儀器化晶圓被應用于許多行業,包括快速熱處理(RTP)、快速熱退火(RTA)、暴露后烘烤(PEB)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子注入、太陽能電池和許多其他熱驅動工藝。
Thermo electric擁有設計和安裝熱電偶的專業知識,包括硅、AlTiC、玻璃、陶瓷和其他裸露的基板,有涂層或有圖案的基材。其他定制基板,形狀和尺寸可供選擇.

多通道晶圓數據采集系統-TEDAQ

Thermo Electric 的數據采集系統(TEDAQ)和溫度映射軟件工具允許精確捕捉和分析任何類型的儀表化晶圓的溫度數據。TEDAQ在儀器化晶圓組件上提供完全集成的多點溫度測量。
我們的TEDAQ提供了一個硬件和軟件嵌入式解決方案,可輕松應用于任何尺寸的晶圓和多達64個熱電偶輸入。TEDAQ軟件與最新的Windows操作系統兼容。

TC-350H-高性能-溫度范圍(-50°C至350°C)

TC-350H使用盡可能最小的傳感元件,以減少熱質量并增加每個傳感器的響應時間。用于制造傳感器的材料經過仔細選擇,以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。

TC-350D-重工業-溫度范圍(-50°C至350°C)

TC-350D采用最堅固的部件,以延長這些易碎產品的使用壽命。用于制造傳感器的材料經過仔細選擇,以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。

TC-350晶圓產品采用熱電偶技術,以產生最準確和可靠的讀數。

TC-700H-高性能-溫度范圍(-50°C至700°C)

TC-700H使用盡可能最小的傳感元件,以減少熱質量并增加每個傳感器的響應時間。用于制造傳感器的材料經過仔細選擇,以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。

TC-700D-高負載-溫度范圍(-50°C至700°C)

TC-700D使用最堅固的部件來延長這些易碎產品的使用壽命。用于制造傳感器的材料經過仔細選擇,以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。

TC-700晶片產品采用熱電偶技術,以產生最準確和可靠的讀數。

TC-1200-高溫/高純度-溫度范圍(-50°C至1200°C)

TC-1200采用了一種非常獨特的連接方法,可實現極高的溫度運行。該方法不使用粘合劑。取而代之的是,硅被激光焊接以固定傳感器。

這不僅允許高溫操作,而且還創造了最干凈的設計之一。通過消除粘合劑,不可能出現脫氣或其他不良情況。

這種設計適用于了解和控制硅片表面溫度至關重要的場合。大多數制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產品將測量重點放在晶圓表面上最重要的過程發生的地方。在使用本產品時,您可以期望通過最準確地放置傳感元件,獲得更快、更準確的響應時間。

雖然這些產品通常用于整個半導體行業,但該技術也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。

TC-1200晶片產品采用熱電偶技術,以產生最準確和可靠的讀數。

BTC700H-低剖面/高響應-最高溫度700°C

BTC-700H提供低剖面和精確的配對晶圓對垂直對齊,以確保快速準確的響應。該產品將響應典型晶圓鍵合過程中發生的靜態和動態溫度變化。

BTC700適用于需要了解和控制匹配硅片表面溫度均勻性的晶片鍵合設備。MEMS、MOEMS、絕緣體上硅(SOI)、晶圓級封裝和三維芯片堆疊是采用晶圓鍵合的主要技術類別。

鍵合晶片可以由任何晶片直徑制成,因此可以在技術上盡可能接近特定的鍵合工藝。作為本產品的用戶,您可以期望對晶圓鍵合過程中發生的溫度變化做出快速、準確和可靠的響應。

RTD-低溫/高精度-最高溫度240°C

儀器化晶片RTD的工作原理是,某些金屬的電阻在一定溫度范圍內以可重復和可預測的方式增加或減少。

與熱電偶晶片相比,RTD晶片具有更高的精度和更高的穩定性,為監控半導體制造設備提供了額外的選擇。

RTDs傳感器在較長時間內保持初始精度的能力提供了溫度測量的可重復性。

剖面和尖峰熱電偶

剖面和尖峰熱電偶在半導體工藝(如摻雜工藝中使用的擴散爐)的溫度控制中至關重要。

熱電公司在貴金屬(B型、S型、R型)熱電偶方面擁有廣泛的專業知識,并制造最先進的質量尖峰和剖面,可通過最嚴格的半導體工藝獲得信任。


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