Fused Silica Wafers UV, JGS1, JGS2, JGS3 Grades
熔融石英晶片
什么是熔融石英晶片?
熔融石英晶片是高純度二氧化硅的薄圓盤,用于生產(chǎn)電子器件,如半導(dǎo)體芯片。熔融石英,也稱為熔融石英,是一種高純度和透明形式的二氧化硅,由天然石英砂在高溫下熔化而成。熔融石英晶片具有高度的耐熱性、耐化學(xué)性和耐機(jī)械損傷性,使其非常適合用作電子設(shè)備生產(chǎn)中的基材。由于它們的高透明度和低吸光率,它們也用于生產(chǎn)光學(xué)元件,如透鏡和鏡子。
熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3
我們備有所有三個等級的庫存,供您各自的研究使用
直徑 | 厚 (um) | 波蘭語 |
50.8 毫米 | 500 微米 | 擦光 |
JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm,背面粗糙度 Ra <1nm,S/D 40/20 | ||
50.8 毫米 | 100 微米 | DSP |
76.2 毫米 | 500 微米 | DSP |
1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm,頂部 Ra <10A,S/D 40/20 | ||
100 毫米 | 500 微米 | DSP |
機(jī)械級熔融石英 | ||
100 毫米 | 500 微米 | DSP |
100 毫米 | 1000 微米 | DSP |
熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um, TTV <10um, 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm, S/D 60/40 平面: 32.5+/-2mm | ||
100 毫米 | 700 微米 | DSP |
100 毫米 | 180 微米 | DSP |
熔融石英晶圓,JGS2,C 坡口,2.50 mm +/- 0.10 mm | ||
100 毫米 | 2500 微米 | DSP |
用于評估熱膨脹和熒光/自發(fā)熒光特性的熔融石英基底
機(jī)械性能:
- 密度:約 2.2 g/cm3。
- 楊氏模量 (E):通常在 72 GPa(千兆帕)左右,表明其剛度。
- 泊松比:大約 0.17,這是相對收縮應(yīng)變(橫向、橫向或徑向應(yīng)變)與相對拉伸應(yīng)變(或軸向應(yīng)變)的比率。
- 硬度:莫氏硬度在 7 左右,使其相對堅(jiān)硬且耐刮擦。
- 抗張強(qiáng)度:通常約為 48 MPa(兆帕)。表面缺陷會顯著降低實(shí)際拉伸強(qiáng)度。
- 抗壓強(qiáng)度:超過 1 GPa,遠(yuǎn)高于其抗拉強(qiáng)度。
- 熱膨脹系數(shù):非常低,約為 0.55 x 10??/°C,使其在很寬的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。
光學(xué)特性:
- 折射率:在 589 nm(可見波長)處約為 1.4585。該值在不同波長上會略有變化。
- 傳輸:熔融石英在紫外線 (UV) 到紅外線 (IR) 范圍內(nèi)具有高度透明性。它具有出色的透射率,在紫外到近紅外范圍內(nèi)通常超過 90%。
- 阿貝數(shù):約為 67.56,表明色散相對較低。
- 雙 折射:熔融石英是各向同性的,當(dāng)它不受應(yīng)力時不會表現(xiàn)出雙折射。
- 吸收:熔融石英在紫外到近紅外范圍內(nèi)的吸收率最小,但在深紫外和遠(yuǎn)紅外范圍內(nèi)的吸收率會增加。