美國UniversityWafer晶圓 Fused Silica Wafers UV, JGS1, JGS2, JGS3 Grades 熔融石英晶片 UniversityWafer進(jìn)口代理

Fused Silica Wafers UV, JGS1, JGS2, JGS3 Grades

熔融石英晶片

什么是熔融石英晶片?

熔融石英晶片是高純度二氧化硅的薄圓盤,用于生產(chǎn)電子器件,如半導(dǎo)體芯片。熔融石英,也稱為熔融石英,是一種高純度和透明形式的二氧化硅,由天然石英砂在高溫下熔化而成。熔融石英晶片具有高度的耐熱性、耐化學(xué)性和耐機(jī)械損傷性,使其非常適合用作電子設(shè)備生產(chǎn)中的基材。由于它們的高透明度和低吸光率,它們也用于生產(chǎn)光學(xué)元件,如透鏡和鏡子。

熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3

我們備有所有三個等級的庫存,供您各自的研究使用

直徑

厚 (um)

波蘭語

50.8 毫米500 微米擦光

JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm,背面粗糙度 Ra <1nm,S/D 40/20

50.8 毫米100 微米DSP
76.2 毫米500 微米DSP

1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm,頂部 Ra <10A,S/D 40/20

100 毫米500 微米DSP

機(jī)械級熔融石英

100 毫米500 微米DSP
100 毫米1000 微米DSP

熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um, TTV <10um, 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm, S/D 60/40 平面: 32.5+/-2mm

100 毫米700 微米DSP
100 毫米180 微米DSP

熔融石英晶圓,JGS2,C 坡口,2.50 mm +/- 0.10 mm

100 毫米2500 微米DSP

用于評估熱膨脹和熒光/自發(fā)熒光特性的熔融石英基底

機(jī)械性能:

  1. 密度:約 2.2 g/cm3。
  2. 楊氏模量 (E):通常在 72 GPa(千兆帕)左右,表明其剛度。
  3. 泊松比:大約 0.17,這是相對收縮應(yīng)變(橫向、橫向或徑向應(yīng)變)與相對拉伸應(yīng)變(或軸向應(yīng)變)的比率。
  4. 硬度:莫氏硬度在 7 左右,使其相對堅(jiān)硬且耐刮擦。
  5. 抗張強(qiáng)度:通常約為 48 MPa(兆帕)。表面缺陷會顯著降低實(shí)際拉伸強(qiáng)度。
  6. 抗壓強(qiáng)度:超過 1 GPa,遠(yuǎn)高于其抗拉強(qiáng)度。
  7. 熱膨脹系數(shù):非常低,約為 0.55 x 10??/°C,使其在很寬的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。

光學(xué)特性:

  1. 折射率:在 589 nm(可見波長)處約為 1.4585。該值在不同波長上會略有變化。
  2. 傳輸:熔融石英在紫外線 (UV) 到紅外線 (IR) 范圍內(nèi)具有高度透明性。它具有出色的透射率,在紫外到近紅外范圍內(nèi)通常超過 90%。
  3. 阿貝數(shù):約為 67.56,表明色散相對較低。
  4. 雙 折射:熔融石英是各向同性的,當(dāng)它不受應(yīng)力時不會表現(xiàn)出雙折射。
  5. 吸收:熔融石英在紫外到近紅外范圍內(nèi)的吸收率最小,但在深紫外和遠(yuǎn)紅外范圍內(nèi)的吸收率會增加。

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