美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓 UV、JGS1、JGS2、JGS3
熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片,用于生產半導體芯片等電子設備。熔融石英,也稱為熔融石英,是一種高純度和透明的二氧化硅形式,是通過在高溫下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很強的耐熱性、耐化學性和耐化學性,使其成為電子設備生產中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低,它們還用于生產光學元件,例如鏡頭和鏡子。
熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3
我們備有所有三個等級的庫存,供您各自的研究使用
直徑 | 厚 (um) | 波蘭語 |
50.8 毫米 | 500 微米 | 擦光 |
JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm,背面粗糙度 Ra <1nm,S/D 40/20 | ||
50.8 毫米 | 100 微米 | DSP |
76.2 毫米 | 500 微米 | DSP |
1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm,頂部 Ra <10A,S/D 40/20 | ||
100 毫米 | 500 微米 | DSP |
機械級熔融石英 | ||
100 毫米 | 500 微米 | DSP |
100 毫米 | 1000 微米 | DSP |
熔融石英 JGS2 經軸 <30um 弓 <30um, TTV <10um, 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm, S/D 60/40 平面: 32.5+/-2mm | ||
100 毫米 | 700 微米 | DSP |
100 毫米 | 180 微米 | DSP |
熔融石英晶圓,JGS2,C 坡口,2.50 mm +/- 0.10 mm | ||
100 毫米 | 2500 微米 | DSP |
用于評估熱膨脹和熒光/自發熒光特性的熔融石英基底
機械性能:
- 密度:約 2.2 g/cm3。
- 楊氏模量 (E):通常在 72 GPa(千兆帕)左右,表明其剛度。
- 泊松比:大約 0.17,這是相對收縮應變(橫向、橫向或徑向應變)與相對拉伸應變(或軸向應變)的比率。
- 硬度:莫氏硬度在 7 左右,使其相對堅硬且耐刮擦。
- 抗張強度:通常約為 48 MPa(兆帕)。表面缺陷會顯著降低實際拉伸強度。
- 抗壓強度:超過 1 GPa,遠高于其抗拉強度。
- 熱膨脹系數:非常低,約為 0.55 x 10??/°C,使其在很寬的溫度范圍內保持穩定。
光學特性:
- 折射率:在 589 nm(可見波長)處約為 1.4585。該值在不同波長上會略有變化。
- 傳輸:熔融石英在紫外線 (UV) 到紅外線 (IR) 范圍內具有高度透明性。它具有出色的透射率,在紫外到近紅外范圍內通常超過 90%。
- 阿貝數:約為 67.56,表明色散相對較低。
- 雙 折射:熔融石英是各向同性的,當它不受應力時不會表現出雙折射。
- 吸收:熔融石英在紫外到近紅外范圍內的吸收率最小,但在深紫外和遠紅外范圍內的吸收率會增加。