美國 Universitywafer GaN晶圓 藍寶石襯底的GaN

美國 Universitywafer GaN晶圓 藍寶石GaN

長期以來,一直是電力電子的首選基板,但由于研究的進步,GaN 已經取代了硅。這種變化的原因是 GaN 被認為是一種寬帶隙材料。這意味著它在高溫下運行時具有高擊穿電壓和出色的效率.

藍寶石襯底的GaN晶圓是無線電能量放大的理想材料。與硅相比,它具有許多優點,包括更高的擊穿電壓和更好的高溫性能。

Gallium Nitride on Sapphire Wafer

Gallim 氮化物 (GaN) 射頻功率是包括硅在內的上一代材料的五倍。新的 GaN 技術進步應該會帶來更輕、更小、更強大的電子設備。

GaN 外延片由?6H-SiC 襯底上的 GaN 層組成。軸向直徑 50 mm,n 型,GaN 厚度 ~0.5 um

藍寶石上的 GaN 層,軸向直徑 50 mm,n 型,GaN 厚度 0.5-10 um。

GaN/AIN/SiC 外延片由 6H 碳化硅上的 AIN 層上的 GaN 層組成。

軸向直徑 50mm,n 型。

GaN 厚度 ~(0.5-0.8) um。

AIN 厚度 ~0.1 微米。

GaN/AIN/AI2O3 外延片由藍寶石上 AIN 層上的 GaN 層組成。

直徑 50mm,同軸,n 型,GaN 厚度 ~(0.5-0.8) um,AIN 厚度 ~0.1 um。

GaN 外延生長在 Al2O3 襯底

GaN 是一種二元 III/V 直接帶隙半導體,自 1990 年代以來常用于明亮的發光二極管。該化合物是一種非常堅硬的材料,具有纖鋅礦晶體結構。其 3.4 eV?的寬帶隙使其具有特殊性能,適用于以下應用:

  • 光電
  • 大功率器件
  • 高頻設備

例如,GaN 是使紫色 (405 nm) 半導體激光管成為可能的襯底,而無需使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低(與其他?III 族氮化物一樣),使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。軍事和太空應用也可能受益,因為設備在輻射環境中表現出穩定性。

氮化鎵晶體管可以在比砷化鎵 (GaAs?晶體管高得多的溫度下工作,并在高得多的電壓下工作,它們是微波頻率的理想功率放大器

藍寶石上的 HEMT 結構,2 英寸

藍寶石上的 2 英寸 AlN 晶圓
藍寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓(未摻雜),厚度為 4um
藍寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓(硅摻雜),厚度為 4um
藍寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓(摻鎂),厚度為 4 微米
Si 襯底上的 HEMT 結構,SiC 襯底上的 2 英寸
HEMT 結構,2 英寸
2 英寸氮化鎵藍色或綠色 LED 晶圓


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