美國 Universitywafer 單面拋光 （SSP） 硅晶片
單面拋光硅片
我們有各種各樣的單面拋光 （SSP） 晶圓庫存。我們的厚度從 100 微米到 10 毫米不等。我們的平面度規格低至 1 微米的總厚度變化 （TTV）
加工單面拋光硅片的過程將機械拋光與光學干涉測量相結合。這些硅片的總厚度可以使用高速激光進行測量。此外，該過程快速準確。厚度范圍為 41 至 122 nm。使用的波長通常是近紅外的，波長由光學探頭接收到的脈沖數決定。
| 項目 | 類型/摻雜劑 | 方向 | 直徑 （mm） | Thck （um） | Pol | 電阻率 ohm-cm | 描述 |
| K148 系列 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 300 | SSP | FZ?>20,000 | Prime， NO Flats， Soft cst |
| D355 系列 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 320 | SSP | FZ?>20,000 | Prime， NO Flats， Soft cst |
| 5447 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 500 | SSP | FZ?>20,000 | SEMI Prime，1Flat，硬質 cst |
| 5275 | P型Si：B | [100] | 1″ | 1,000 | SSP | 130 | SEMI Prime，1Flat，硬質 cst |
| L678 系列 | P Si：B | [100] | 1″ | 3,000 | SSP | 150 | Prime、NO Flats、單個 cst、13 片晶圓組 |
| 5092 | P Si：B | [100] | 1″ | 275 | SSP | 0.0150.020 | SEMI Prime， 1Flat， 軟 cst |
| S5554 系列 | P Si：B | [111] ±0.25° | 3″ | 400 | SSP | FZ?>100 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| 4994 | n型 Si：P | [100] ±0.1° | 3″ | 380 | SSP | FZ?>5,000 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| I978 | n型 Si：P | [111] ±0.5° | 3″ | 380 | SSP | 4,0008,000 斐濟元 | SEMI Prime， 1Flat， 1 & 2 片晶圓的硬盒 |
| 編號 E383 | n型 Si：P | [111] ±0.5° | 3″ | 380 | SSP | 3,0005,000 斐濟元 | SEMI Prime， 1Flat， 在 Empak 中， Lifetime>1,000？s， |
| 6773 | 本征 Si： | [100] | 3″ | 380 | SSP | FZ?>20,000 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| 6116 | P Si：B | [100] | 3″ | 5,000 | SSP | 130 | Prime， 無 Flats， Individual cst |
| 3014 | P Si：B | [100] | 3″ | 250 | SSP | 0.150.20 | SEMI TEST（劃痕），2 個平面，密封的 Empak 包埋盒，3 個晶圓 |
| S5843 系列 | P Si：B | [1004° 朝向[110]] ±0.5° | 3″ | 230 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m |
| 2248 | P Si：B | [100] | 3″ | 300 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| 第 S5844 號 | P Si：B | [1004° 朝向[110]] ±0.5° | 3″ | 381 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m， 4 和 20 片晶圓盒 |
激光探針用于測量單面拋光硅晶片的間隙氧含量。這是監測硅片中氧濃度的準確可靠的方法。激光器安裝在上板上，并以預設速度旋轉。然后，上板穿過上板，掃描硅片的表面。掃描過程完成后，可以對硅晶片進行頂部處理。
單面拋光硅晶片的特點是在回流焊溫度下出現翹曲行為，回流焊是封裝過程中使用的最高溫度。通過 3D 數字圖像相關性分析表面，并測量每個表面的熱膨脹系數。單面拋光硅片的粗糙度比鏡面拋光的硅片具有更高的熱膨脹系數。
