UniversityWafer,藍(lán)寶石襯底氮化鎵(GaN)外延片,氮化鎵（GaN）的射頻功率是上一代材料（包括硅）的五倍。新的GaN技術(shù)進(jìn)展將使電子設(shè)備變得更加輕巧、緊湊且功能更強(qiáng)大。
氮化鎵（GaN）在藍(lán)寶石基板上的應(yīng)用
氮化鎵（GaN）的射頻功率是上一代材料（包括硅）的五倍。新的GaN技術(shù)進(jìn)展將使電子設(shè)備變得更加輕巧、緊湊且功能更強(qiáng)大。
以下是我們提供的一些GaN在藍(lán)寶石基板上的規(guī)格。如有需要報(bào)價(jià)的規(guī)格和數(shù)量，請通過電子郵件聯(lián)系我們。
GaN外延片由GaN層和6H-SiC基板組成。直徑50mm，軸向，n型，GaN厚度約0.5微米。
GaN在藍(lán)寶石上的外延片，直徑50mm，軸向，n型，GaN厚度為0.5-10微米。
GaN/AIN/SiC外延片，由GaN層、AIN層和6H硅碳化物基板組成。
直徑50mm，軸向，n型。
GaN厚度約為0.5-0.8微米。
AIN厚度約為0.1微米。
GaN/AIN/AI2O3外延片，由GaN層、AIN層和藍(lán)寶石基板組成。
直徑50mm，軸向，n型，GaN厚度約為0.5-0.8微米，AIN厚度約為0.1微米。
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| 項(xiàng)目 | 直徑 | 類型/摻雜 | 方向 | GaN（μm） | Al2O3（μm） | Al2O3平面 | 表面處理 | 其他規(guī)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2859 | 100mm | N/Si | <0001> | 5.0 | 650 | c | DSP | |
| 2521 | 50.8mm | N/Si | <0001> | 5.0 | 430 | c | DSP | |
| 2857 | 50.8mm | P/Mg | <0001> | 4-5 | 430 | c | DSP | 可用表面面積：>90%，TTV：= 10um，BOW：= 10um，Warp：= 10um |
| 2856 | 50.8mm | P/Mg | <0001> | 4-5 | 430 | c | SSP |
2英寸氮化鎵藍(lán)寶石外延片
以上是單面拋光GaN外延片，附帶單片載體。
如需了解應(yīng)變異質(zhì)外延生長和外延過生長的相關(guān)信息，請與我們聯(lián)系！
氮化鎵半導(dǎo)體
氮化鎵（GaN）是射頻能量放大的理想材料，能夠增強(qiáng)雷達(dá)和干擾器等設(shè)備的性能。過去幾年，硅曾是功率電子的首選基板，但由于研究的進(jìn)展，GaN已取代了硅。原因在于GaN是一種寬帶隙材料，這意味著它具有較高的擊穿電壓和在高溫下表現(xiàn)出色的效率。如果您需要一款高質(zhì)量且可靠的產(chǎn)品，我們建議使用UniversityWafer的氮化鎵基板。
氮化鎵發(fā)光二極管
GaN薄層用于LED燈中，通過通過電流使燈泡發(fā)光。
氮化鎵放大器
GaN的高功率密度被用來在D類音頻放大器中產(chǎn)生優(yōu)質(zhì)的聲音。
氮化鎵微波放大器
GaN提升了雷達(dá)中微波信號(hào)的放大能力，提供比硅更高的電壓。
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