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AlGaN襯底（燈具/激光器/LED應用）

高級顧問科學家詢價：

• 需求：藍寶石襯底鍍AlGaN涂層
  • 尺寸：直徑≥1cm
  • 厚度：200-500μm

UniversityWafer

產品編號DA18：

• 襯底：藍寶石[A]晶圓
  • 直徑：50.8±0.3mm
  • 厚度：430±25μm
  • 晶向：C面±0.2°
  • 主平邊長度：16.0±1.0mm
• 表面處理：
  • 雙面外延級拋光
  • 表面粗糙度Ra＜0.3nm（AFM檢測）
• 外延層：
  • 未摻雜Al?.?GaN（[100]晶向）
  • 厚度：1μm

注：參考編號#164039獲取價格詳情

AlGaN/GaN異質結構晶圓需求

博士候選人詢價：

• Al?O? 2英寸：375-400μm SSP級（用于MOVPE法沉積AlGaN/GaN異質結構）
• SiC 4H 2英寸：375-400μm絕緣型（GaN晶體管應用）
• Si (111) 2英寸：375-400μm高阻型（晶體管制造）
  用途：HFET技術轉移（參考編號#171068）

P型AlGaN模板

博士后研究需求：

• P型GaN/AlGaN模板：
  • 襯底：藍寶石/石英（方形優先，熔點≥1000°C）
  • 厚度：0.3-0.8μm（Mg摻雜）
  • 需提供完整技術數據（電學/光學/機械/表面特性）
    備注：圓形襯底可接受單片采購（參考編號#197858）

研究級AlGaN襯底

銷售工程師詢價：

• 2英寸c面藍寶石襯底：
  • AlGaN層厚度：200-300nm
  • Si摻雜濃度：3-5×101?/cm3
  • Al組分：20%與40%兩種
    | 襯底 | 直徑 | 緩沖層 | 外延層/摻雜 | 厚度 |
    |——|——|——–|————|——|
    | 藍寶石 | 2″ | 50nm AlN | 本征GaN | 100nm |
    | 藍寶石 | 2″ | 50nm AlN | 本征GaN | 300nm |
    | 藍寶石 | 2″ | 50nm AlN | 本征Al10%GaN | 300nm |
    | 藍寶石 | 2″ | 50nm AlN | Si摻雜Al20%GaN | 250nm |
    | 藍寶石 | 2″ | 50nm AlN | Si摻雜Al40%GaN | 250nm |
    （參考編號#102784）

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