UniversityWafer,GaAs晶圓,砷化鎵晶片,我們需要100微米厚的GaAs晶片，如果無法達到這個厚度，盡可能薄。直徑為1英寸到1.15英寸。我們更傾向于選擇無金屬支撐的晶片。
為什么砷化鎵優(yōu)于硅？
我們?nèi)绾螏椭芯咳藛T：
我們需要100微米厚的GaAs晶片，如果無法達到這個厚度，盡可能薄。直徑為1英寸到1.15英寸。我們更傾向于選擇無金屬支撐的晶片。如果你需要將晶片兩面拋光以達到所需厚度，沒關(guān)系，不必拋光。如果不需要拋光，您也可以不做。
這些箔片不會用于半導體應(yīng)用——我們將用于質(zhì)子束的橫截面測量。
有關(guān)規(guī)格和定價，請參考#210847。
問題：手機很棒，但它們也有一些大問題。首先，它們占用很多空間。其次，它們的電池續(xù)航時間很短。
我們都知道我們需要時刻保持連接，但我們的手機無法跟上我們忙碌的生活。它們很快沒電，而我們并不總是能找到插座充電。
解決方案：砷化鎵是解決我們電池問題的答案。這種材料能夠更快地移動電子，同時消耗更少的電力，這意味著您的手機在一次充電后能夠持續(xù)更長時間。
兩種GaAs晶圓相比于硅晶圓的優(yōu)勢是：
GaAs移動電子的速度更快，同時消耗的功率更低。想想你的手機。在狹小的空間和短暫的電池壽命下，GaAs（砷化鎵）晶圓在某些組件中提供了相較硅的明顯優(yōu)勢。
GaAs具有直接帶隙特性，使得全光總線比硅上的電線更高效地將光直接引導到芯片上。
砷化鎵用于X射線光譜學
一位科學家需要幫助采購GaAs晶圓：
我們的研究小組正在尋找超光滑的GaAs晶圓，用于非常敏感的光學實驗。您是否有光滑度約為+-10納米，并且在5毫米范圍內(nèi)彎曲小于100納米的晶圓？本質(zhì)上，這兩個晶圓在分開200納米的間隙時，必須有一個不受阻擋的空間，寬度為5毫米。該晶圓將切割成多個5×10毫米的片段，所以2英寸直徑應(yīng)該足夠。請告知您是否有符合此要求的產(chǎn)品。如果有，請?zhí)峁﹫髢r。
我們將其用于X射線光譜學。我們基本上是重做實驗，但使用的是更加平坦的材料。
UniversityWafer, Inc.報價：
GaAs項目 #1299 100mm未摻雜 <100> 1E7 625um DSP Prime級 EPD（平均）：≤5,000，摻雜：半絕緣型
砷化鎵 VGF 和 LEC 生長 我們有砷化鎵晶圓（GaAs），III-V 直接帶隙半導體，既有常用的垂直梯度凍結(jié)（VGF）生長法，也有液封Czochralski（LEC）生長法，這兩種方法都可以得到高純度的單晶半絕緣型砷化鎵晶圓。
砷化鎵在原子尺度上的表現(xiàn)
砷化鎵的符號
最近一位研究人員詢問了150mm含鉻（Cr）摻雜的砷化鎵。
客戶要求：
我們正在招標的項目需要約20片鉻摻雜的6英寸GaAs晶圓，以及5~10片4英寸的硅-藍寶石（SOS）晶圓。你能提供這些物品嗎？如果能，我將提供詳細的規(guī)格。
我們的回復：
我們有技術(shù)和設(shè)備來制造150mm直徑的鉻摻雜GaAs：Cr。
如何制造？ 需要生長一個新的晶體錠，然后將其切割和拋光成晶圓。Ro >1E8 Ohmcm，遷移率 >5,000cm2/Vs是無法達到的，但我們可能能達到4,000cm2/Vs。類似地，EPD<500/cm2對于LEC工藝來說不太現(xiàn)實，但我們肯定可以達到5E4/cm2。鉻摻雜我們需要使用LEC工藝，而不是VGF工藝。
我們也提供了以下報價：
半絕緣型未摻雜砷化鎵晶圓，P/P 6″ ?×625±25μm， VGF SI GaAs：-[100 -2.0±0.5o 向 <001>]-±0.5°，Ro=(1.2-1.7)E8 Ohmcm，雙面拋光（Epi-Ready），彎曲/變形<30μm，直徑 150.0±1.0mm，SEMI缺口@（010）±5o，深度 1.0±0.25mm，{遷移率<5,000，EPD<500}晶體結(jié)構(gòu)
鎳砷化物 研究人員詢問我們是否有鎳砷化物。我們有，請?zhí)峁┠囊?guī)格。
砷的基本信息 砷原子有33個電子和33個質(zhì)子，5個價電子。
什么玻璃可以與砷化鎵結(jié)合？
一位研究人員詢問是否有可與GaAs晶圓結(jié)合的玻璃（或石英）晶圓。以下是基本要求：
玻璃晶圓必須在940nm波長下是透明的。
晶圓直徑：4英寸。
晶圓厚度：約500μm。
熱膨脹系數(shù)（CTE）應(yīng)盡量接近GaAs的CTE（5.73 ppm/K）。
雙面拋光。
GaAs的CTE為5.73 ppm/K = 5.73×10^-6 /K。由于JGS2熔融石英的CTE比GaAs低一個數(shù)量級，而標準玻璃如BK7的CTE則過高，您有可能適合我們要求的材料嗎？
解決方案：
我們發(fā)現(xiàn)康寧7056或7052似乎是不錯的選擇。請告知數(shù)量以便我們?yōu)槟峁┘磿r報價。
使用砷化鎵制造激光二極管
如何使用砷化鎵制造激光二極管是一本新書的主題。這是一個非常簡單的過程，只使用一種半導體材料——砷化鎵。利用這種化合物，可以制造出發(fā)光的激光二極管。關(guān)鍵在于使這些材料以一種有效且高效的方式相互協(xié)作。
砷化鎵激光器的構(gòu)造與發(fā)光二極管類似。它是一種半導體，能夠產(chǎn)生相干光和非相干光。這些激光器由兩層摻雜的砷化鎵組成，其中一層是n型半導體，另一層是p型半導體。在這個過程中，添加了硅、鋁和硒等摻雜劑，以創(chuàng)造一個雙層激光結(jié)構(gòu)。
這兩層之間的過渡被稱為直接帶隙。這一過渡發(fā)生在p型層和n型層之間。當這些層連接時，它們形成一個p-n結(jié)，這個結(jié)將兩種半導體類型分開。這個結(jié)構(gòu)還允許高頻率操作。這個過程被稱為范圍測量，它通過向遠處的反射器發(fā)送光脈沖工作。激光脈沖被發(fā)送出去，返回脈沖在同一位置接收。當激光脈沖出去時，時鐘開始計算到遠程反射器的時間。
使用B2O3通量生長的砷化鎵及其有用的硼受體濃度
我們的一些砷化鎵晶圓是通過LEC（液體包封Czochralski法）生長的，這些晶圓具有較大的硼濃度，另外一些是通過VFG（垂直梯度冷卻法）生長的，這些晶圓的硼濃度較低。
未摻雜的半絕緣砷化鎵的硼濃度通常低于摻雜的砷化鎵。
我們也有一些D形晶圓和一些通過HB（高溫法）工藝結(jié)晶的小砷化鎵晶塊。這些材料是在不使用B2O3的情況下合成并生長的，因此它們完全不含硼（盡管我沒有正式的GDMS（氣相色譜質(zhì)譜）測量數(shù)據(jù)來確認它們的硼濃度）。
請告訴我您需要的材料，以及您可以容忍的砷化鎵中的硼濃度。
請告訴我所需的摻雜類型和程度，是否需要晶圓或晶體塊，它們的尺寸和厚度。
我相信我們可以找到您需要的材料。
用于金屬鹵化物鈣鈦礦晶體生長的基底
研究人員使用了以下砷化鎵和藍寶石晶圓進行研究。
砷化鎵產(chǎn)品編號 #3411
100mm N/Si <100> Res (1.2-9.9) x 10^-3 350um SSP 表面方向: (100)15°偏向<111> A ±0.5°
砷化鎵產(chǎn)品編號 #3508
100mm 未摻雜 <100> Res 1E7 625um SSP 砷化鎵 VFG，半絕緣，未摻雜，EPD: <7100 cm^-2，表面：DSP 從側(cè)面：拋光，背面：拋光，平面：US（2個平面）
藍寶石產(chǎn)品編號 #2562
100mm <0001> 650um DSP C-M平面 0.2°，雙面拋光，微粗糙度：Ra<0.35nm，主要平面翹曲<21um，TTV<16um
金屬鹵化物鈣鈦礦，如混合有機-無機CH3NH3PbI3，作為溶液沉積的吸收層在太陽能電池中，已吸引了大量關(guān)注，且其功率轉(zhuǎn)換效率已達到20%。在此，我們展示了一種新途徑，通過設(shè)計高發(fā)光的鈣鈦礦基膠體量子點材料，拓展了鈣鈦礦的應(yīng)用。我們使用廉價的商業(yè)前體合成了單分散的膠體納米立方體（邊長為4–15納米）全無機銫鉛鹵化物鈣鈦礦（CsPbX3，X = Cl，Br，I或混合鹵素系統(tǒng)Cl/Br和Br/I）。通過成分調(diào)節(jié)和量子尺寸效應(yīng)，可以輕松調(diào)整帶隙能量和發(fā)射光譜，覆蓋整個可見光譜區(qū)域410–700 nm。
用于X射線探測器測試的砷化鎵（GaAs）晶圓
科學家詢問：
我正在尋找一些特殊的砷化鎵晶圓，用于X射線探測器測試，類似于鏈接中描述的那種。我注意到您的網(wǎng)站上有鉻摻雜的砷化鎵，似乎它們也具有高電阻，這很好。您能提供更多關(guān)于您鉻摻雜砷化鎵的信息嗎？比如它們采用了什么樣的生長方法？鉻摻雜劑是如何添加的？
以下是Gallium Arsenide（GaAs）晶圓的一些應(yīng)用及相關(guān)信息：
GaAs晶圓的廣泛應(yīng)用： GaAs具有寬帶隙的特點，使其在硅無法實現(xiàn)的應(yīng)用中具備優(yōu)勢。GaAs的應(yīng)用包括：
光電
高功率
高頻設(shè)備
GaAs晶圓制造商： UniversityWafer, Inc. 提供各種規(guī)格的GaAs晶圓，包括未摻雜的半絕緣Epi準備型EJ和US平面GaAs。請聯(lián)系我們獲取報價！更多規(guī)格現(xiàn)貨供應(yīng)，請詢問清單。
產(chǎn)品樣本：
| 產(chǎn)品編號 | 類型/摻雜 | 晶向 | 直徑 | 厚度 (μm) | 表面處理 | 電阻率 (Ω·cm) | 載流子濃度 (Nca/cm3) | 遷移率 (cm2/V·s) | EPD (cm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6093 | 未摻雜 SI | [100] | 2″ | 380 | P/E | n型 9.67E7 | 1.15E+07 | 5,590 | <7E4 |
| H093 | 未摻雜 SI | [100] | 2″ | 500 | P/E | n型 9.5E7 | 1.20E+07 | 5,360 | <6E4 |
| 5628 | 未摻雜 SI | [310] ±0.5° | 2″ | 400 | P/E | n型 5.5E7 | 1.90E+07 | 5,800 | <1,400 |
| 6814 | 未摻雜 SI | [100] | 2″ | 1,000 | P/P | n型 1.18E8 | 1.45E+07 | 3,656 | <4.5E4 |
| 2295A | 未摻雜 SI | [100-4° towards[111A]] ±0.5° | 51.3mm | 380 | P/E | n型 7.4E7 | 1.70E+07 | 5,000 | <8E4 |
摻硅N型GaAs:
| 產(chǎn)品編號 | 類型/摻雜 | 晶向 | 直徑 | 厚度 (μm) | 表面處理 | 電阻率 (Ω·cm) | 載流子濃度 (Nca/cm3) | 遷移率 (cm2/V·s) | EPD (cm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3F051 | N/Si | [100-2° towards[011]] | 2″ | 350 | P/E | (0.91-1.36)E18 | <2,500 |
摻鋅P型GaAs：
| 產(chǎn)品編號 | 類型/摻雜 | 晶向 | 直徑 | 厚度 (μm) | 表面處理 | 電阻率 (Ω·cm) | 載流子濃度 (Nca/cm3) | 遷移率 (cm2/V·s) | EPD (cm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7151 | P/Zn | [100] | 4″ | 450 | P/E | <7E-3 | (3.1-4.2) | >81 | <10,000 |
摻鉻（Cr）GaAs：
| 產(chǎn)品編號 | 類型/摻雜 | 晶向 | 直徑 | 厚度 (μm) | 表面處理 | 電阻率 (Ω·cm) | 載流子濃度 (Nca/cm3) | 遷移率 (cm2/V·s) | EPD (cm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| T3911 | SI GaAs:Cr | [100] | 4″ | 625 | P/P | >1E7 |
GaAs晶圓應(yīng)用： GaAs晶圓在多個領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，尤其是在開發(fā)高頻、高功率的光電設(shè)備中，GaAs晶圓的特殊性質(zhì)使其成為理想的材料選擇。
http://ydzhly.com/universitywafer/UniversityWafer,GaAs晶圓,砷化鎵晶片/
https://zhuanlan.zhihu.com/p/1888975773022536260
