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浮區法硅片
WaferPro?提供優質的浮區法（FZ）硅片，以滿足日益增長的純度需求。浮區法硅片具有極低的氧和碳雜質，為關鍵應用提供了無與倫比的質量。
這些硅片針對太陽能芯片、射頻電路、精密功率器件和太赫茲計算進行了優化，助力尖端創新。其超純單晶結構增強了電氣性能，可實現高精度的電流控制和復雜功能。
無論是通過增強靈敏度實現下一代傳感器，還是將功率設備推向新高度，我們的浮區法硅片都是追求硅性能極限的客戶的理想選擇。隨著新興技術對速度、效率和能力的要求不斷提高，依賴 WaferPro 的浮區法硅片，將愿景變為現實。
我們致力于滿足最嚴格的純度規格，提供浮區法硅片，推動高科技行業現在及未來的發展。
浮區法硅片的類型
- HIRES FZ – 高電阻率浮區法硅片
高電阻率浮區法硅片是最常見的 FZ 硅片類型。它們由高純度 FZ 晶錠制成，電阻率大于 1,000 ohm-cm。這些硅片非常適合用于 RF MEMS 開關、發射器和接收器芯片以及微波和毫米波電路與器件。 - UNDOPED FZ – 未摻雜浮區法硅片
未摻雜浮區法硅片是通過浮區法生長的硅基板，未有意引入摻雜原子。它們屬于本征型，電阻率大于 10,000 ohm-cm。 - NTD FZ – 中子摻雜浮區法硅片
NTD FZ 硅片由未摻雜的高純度 FZ 晶錠制成，通過中子嬗變摻雜（NTD）輻照工藝進行摻雜。這會產生電阻率較低但范圍更窄的 N 型材料。這些硅片用于制造半導體功率器件的組件。 - GD FZ – 氣體摻雜浮區法硅片
氣體摻雜 FZ 硅片由在熔體界面引入氣態摻雜劑的 FZ 晶錠制成。該工藝使晶錠沿長度方向具有良好的均勻性。
浮區法硅片的關鍵應用
以下是浮區法硅片的一些關鍵應用領域：
- 功率器件
浮區法硅片用于制造高功率器件。 - 分立半導體
浮區法硅片用于生產高功率分立晶體管以及射頻功率放大器。 - 計量標準
用作材料特性測量（如熱導率）的校準標準。 - 輻射探測器
高靈敏度的浮區法探測器用于醫學成像和核/粒子物理研究。 - MEMS 諧振器
浮區法硅片的聲學特性對生產低損耗 MEMS 諧振器參考設備非常有價值。 - 光電子學
LED 發射器和激光二極管等特殊電子產品受益于浮區法材料的高質量。 - 放大器
浮區法硅片是制造超低噪聲中頻（IF）、射頻（RF）和微波半導體放大器的關鍵材料。 - 數據轉換器
浮區法硅片支持精確的模數轉換和數模轉換集成電路（IC）的制造。 - 音頻組件
用于前置放大器、均衡器等的高保真級模擬集成電路。
我們的能力
FZ 硅片具有極高的定制性，可根據您的需求靈活調整參數。
| 規格 | 參數 |
|---|---|
| 直徑 | 2” (50.8mm)、3” (76.2mm)、4” (100mm)、5” (125mm)、6” (150mm)、8” (200mm)、12” (300mm) |
| 類型 | P型、N型、本征型 |
| 摻雜劑 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未摻雜 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1)、(1-1-0)、定制 |
| 電阻率 (Ω·cm) | 1 – 30,000+ |
| 厚度 (μm) | 20 – 2,000+ |
| 平邊/缺口 | 無平邊、SEMI主平邊、Jeida平邊、2個SEMI平邊、缺口 |
| 表面處理 | SSP（單面拋光）、DSP（雙面拋光） |
我們暢銷的的產品
為什么選擇我們？
WaferPro：浮區法硅片的領導者
作為高電阻率硅片的供應商，WaferPro 憑借數十年的專業經驗，提供無與倫比的高質量產品，值得您的信賴。我們的技術工程師精心優化了復雜的制造工藝，這種工藝幾乎無人能夠復制，既實現了超高純度的生長，又確保了結構的完整性。我們的浮區法硅片具有以下優勢：
- 卓越的均勻性：WaferPro 的浮區法硅片雜質和缺陷密度極低，在關鍵領域提供一致的性能。
- 無與倫比的定制化：我們根據您的應用需求，定制氧含量、電阻率、晶向、厚度和直徑。
- 可靠的保證：嚴格的質量控制確保硅片的完整性，提供長期穩定的功能。
當您需要為前沿需求優化且可靠的浮區法硅片時，請選擇專注于此類硅片制造超過 20 年的專家。WaferPro 擁有技術專長和卓越的制造能力，能夠滿足您所有的浮區法硅片需求。
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