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氮化硅晶圓 (Si?N?)

WaferPro?為您的硅片需求提供多種薄膜處理選項。這包括 LPCVD 氮化硅，我們可以提供化學計量比 LPCVD 氮化硅、低應力 LPCVD 氮化硅以及超低應力 LPCVD 氮化硅。我們還提供高質量的 PECVD 氮化硅、低應力 PECVD 氮化硅以及 PECVD 氮氧化硅。晶圓直徑從 2 英寸到 300 毫米不等，氮化硅厚度從 100? 到 20,000? 可選。

支持任意數量的訂購，最小批量訂單為 25 片晶圓。

 

LPCVD和PECVD氮化物的類型

LPCVD氮化物 – 低壓化學氣相沉積氮化物

  • 同時沉積在晶圓的兩側。
  • 適用于對溫度不敏感的場合。
  • 較高的工藝溫度，生成更穩定、更高純度的薄膜。

PECVD氮化物 – 等離子體增強化學氣相沉積氮化物

  • 僅沉積在晶圓的單側。
  • 更適用于需要較低工藝溫度的場合。

化學氣相沉積（CVD）氮化物類型及參數

化學計量LPCVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 4500?（兩側）
  • 膜應力：≥800±50 MPa 拉伸應力

低應力LPCVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（兩側）
  • 膜應力：<250±50 MPa 拉伸應力

超低應力LPCVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（兩側）
  • 膜應力：<100±50 MPa 拉伸應力

PECVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 5000?（單側）
  • 膜應力：+400±50 MPa 拉伸應力

低應力PECVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（單側）
  • 膜應力：<250±50 MPa 拉伸應力

PECVD氧氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（單側）
  • 膜應力：-400±50 MPa 拉伸應力

硅氮化物晶圓的主要應用

MEMS（微機電系統）

硅氮化物常用于制造MEMS傳感器、執行器和微流體器件。

光電子

硅氮化物適用于波導、LED、光電探測器和光纖封裝。

功率器件

硅氮化物作為高壓功率電子和無線充電設備的優良絕緣材料。

航天系統

硅氮化物在寬溫度范圍內的可靠性，使其適用于航空電子系統。

承載晶圓

硅氮化物的絕緣強度使其能夠在背面研磨過程中支撐器件晶圓。

生物醫學器件

硅氮化物的化學惰性使其兼容于植入物和芯片實驗室中的生物流體。

自旋電子學

硅氮化物的超低電荷捕獲密度有助于在自旋輸運電子設備中的應用。

集成電路

硅氮化物用作芯片制造中晶體管側壁間隔層和鈍化層。

微反應器

硅氮化物的抗污染表面有助于用于特殊化學反應的微反應器

 

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