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氮化硅晶圓 (Si?N?)

WaferPro?為您的硅片需求提供多種薄膜處理選項(xiàng)。這包括 LPCVD 氮化硅，我們可以提供化學(xué)計(jì)量比 LPCVD 氮化硅、低應(yīng)力 LPCVD 氮化硅以及超低應(yīng)力 LPCVD 氮化硅。我們還提供高質(zhì)量的 PECVD 氮化硅、低應(yīng)力 PECVD 氮化硅以及 PECVD 氮氧化硅。晶圓直徑從 2 英寸到 300 毫米不等，氮化硅厚度從 100? 到 20,000? 可選。

支持任意數(shù)量的訂購(gòu)，最小批量訂單為 25 片晶圓。

 

LPCVD和PECVD氮化物的類型

LPCVD氮化物 – 低壓化學(xué)氣相沉積氮化物

  • 同時(shí)沉積在晶圓的兩側(cè)。
  • 適用于對(duì)溫度不敏感的場(chǎng)合。
  • 較高的工藝溫度，生成更穩(wěn)定、更高純度的薄膜。

PECVD氮化物 – 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氮化物

  • 僅沉積在晶圓的單側(cè)。
  • 更適用于需要較低工藝溫度的場(chǎng)合。

化學(xué)氣相沉積（CVD）氮化物類型及參數(shù)

化學(xué)計(jì)量LPCVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 4500?（兩側(cè)）
  • 膜應(yīng)力：≥800±50 MPa 拉伸應(yīng)力

低應(yīng)力LPCVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（兩側(cè)）
  • 膜應(yīng)力：<250±50 MPa 拉伸應(yīng)力

超低應(yīng)力LPCVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（兩側(cè)）
  • 膜應(yīng)力：<100±50 MPa 拉伸應(yīng)力

PECVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 5000?（單側(cè)）
  • 膜應(yīng)力：+400±50 MPa 拉伸應(yīng)力

低應(yīng)力PECVD氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（單側(cè)）
  • 膜應(yīng)力：<250±50 MPa 拉伸應(yīng)力

PECVD氧氮化物

  • 膜厚度：100? – 20,000?（單側(cè)）
  • 膜應(yīng)力：-400±50 MPa 拉伸應(yīng)力

硅氮化物晶圓的主要應(yīng)用

MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）

硅氮化物常用于制造MEMS傳感器、執(zhí)行器和微流體器件。

光電子

硅氮化物適用于波導(dǎo)、LED、光電探測(cè)器和光纖封裝。

功率器件

硅氮化物作為高壓功率電子和無(wú)線充電設(shè)備的優(yōu)良絕緣材料。

航天系統(tǒng)

硅氮化物在寬溫度范圍內(nèi)的可靠性，使其適用于航空電子系統(tǒng)。

承載晶圓

硅氮化物的絕緣強(qiáng)度使其能夠在背面研磨過程中支撐器件晶圓。

生物醫(yī)學(xué)器件

硅氮化物的化學(xué)惰性使其兼容于植入物和芯片實(shí)驗(yàn)室中的生物流體。

自旋電子學(xué)

硅氮化物的超低電荷捕獲密度有助于在自旋輸運(yùn)電子設(shè)備中的應(yīng)用。

集成電路

硅氮化物用作芯片制造中晶體管側(cè)壁間隔層和鈍化層。

微反應(yīng)器

硅氮化物的抗污染表面有助于用于特殊化學(xué)反應(yīng)的微反應(yīng)器

 

我們暢銷的產(chǎn)品

 

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