WaferPro,浮區(qū)法硅片,P型,N型,高電阻率硅片,未摻雜硅片,氣體摻雜硅片

WaferPro,浮區(qū)法硅片,P型,N型,高電阻率硅片,未摻雜硅片,氣體摻雜硅片,WaferPro?提供優(yōu)質(zhì)的浮區(qū)法（FZ）硅片，以滿足日益增長(zhǎng)的純度需求。浮區(qū)法硅片具有極低的氧和碳雜質(zhì)，為關(guān)鍵應(yīng)用提供了無與倫比的質(zhì)量。

浮區(qū)法硅片

WaferPro?提供優(yōu)質(zhì)的浮區(qū)法（FZ）硅片，以滿足日益增長(zhǎng)的純度需求。浮區(qū)法硅片具有極低的氧和碳雜質(zhì)，為關(guān)鍵應(yīng)用提供了無與倫比的質(zhì)量。

這些硅片針對(duì)太陽能芯片、射頻電路、精密功率器件和太赫茲計(jì)算進(jìn)行了優(yōu)化，助力尖端創(chuàng)新。其超純單晶結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了電氣性能，可實(shí)現(xiàn)高精度的電流控制和復(fù)雜功能。

無論是通過增強(qiáng)靈敏度實(shí)現(xiàn)下一代傳感器，還是將功率設(shè)備推向新高度，我們的浮區(qū)法硅片都是追求硅性能極限的客戶的理想選擇。隨著新興技術(shù)對(duì)速度、效率和能力的要求不斷提高，依賴 WaferPro 的浮區(qū)法硅片，將愿景變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

我們致力于滿足最嚴(yán)格的純度規(guī)格，提供浮區(qū)法硅片，推動(dòng)高科技行業(yè)現(xiàn)在及未來的發(fā)展。

浮區(qū)法硅片的類型

  1. HIRES FZ – 高電阻率浮區(qū)法硅片
    高電阻率浮區(qū)法硅片是最常見的 FZ 硅片類型。它們由高純度 FZ 晶錠制成，電阻率大于 1,000 ohm-cm。這些硅片非常適合用于 RF MEMS 開關(guān)、發(fā)射器和接收器芯片以及微波和毫米波電路與器件。
  2. UNDOPED FZ – 未摻雜浮區(qū)法硅片
    未摻雜浮區(qū)法硅片是通過浮區(qū)法生長(zhǎng)的硅基板，未有意引入摻雜原子。它們屬于本征型，電阻率大于 10,000 ohm-cm。
  3. NTD FZ – 中子摻雜浮區(qū)法硅片
    NTD FZ 硅片由未摻雜的高純度 FZ 晶錠制成，通過中子嬗變摻雜（NTD）輻照工藝進(jìn)行摻雜。這會(huì)產(chǎn)生電阻率較低但范圍更窄的 N 型材料。這些硅片用于制造半導(dǎo)體功率器件的組件。
  4. GD FZ – 氣體摻雜浮區(qū)法硅片
    氣體摻雜 FZ 硅片由在熔體界面引入氣態(tài)摻雜劑的 FZ 晶錠制成。該工藝使晶錠沿長(zhǎng)度方向具有良好的均勻性。

浮區(qū)法硅片的關(guān)鍵應(yīng)用

以下是浮區(qū)法硅片的一些關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域：

  1. 功率器件
    浮區(qū)法硅片用于制造高功率器件。
  2. 分立半導(dǎo)體
    浮區(qū)法硅片用于生產(chǎn)高功率分立晶體管以及射頻功率放大器。
  3. 計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)
    用作材料特性測(cè)量（如熱導(dǎo)率）的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。
  4. 輻射探測(cè)器
    高靈敏度的浮區(qū)法探測(cè)器用于醫(yī)學(xué)成像和核/粒子物理研究。
  5. MEMS 諧振器
    浮區(qū)法硅片的聲學(xué)特性對(duì)生產(chǎn)低損耗 MEMS 諧振器參考設(shè)備非常有價(jià)值。
  6. 光電子學(xué)
    LED 發(fā)射器和激光二極管等特殊電子產(chǎn)品受益于浮區(qū)法材料的高質(zhì)量。
  7. 放大器
    浮區(qū)法硅片是制造超低噪聲中頻（IF）、射頻（RF）和微波半導(dǎo)體放大器的關(guān)鍵材料。
  8. 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
    浮區(qū)法硅片支持精確的模數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)模轉(zhuǎn)換集成電路（IC）的制造。
  9. 音頻組件
    用于前置放大器、均衡器等的高保真級(jí)模擬集成電路。

我們的能力

FZ 硅片具有極高的定制性，可根據(jù)您的需求靈活調(diào)整參數(shù)。

規(guī)格參數(shù)
直徑2” (50.8mm)、3” (76.2mm)、4” (100mm)、5” (125mm)、6” (150mm)、8” (200mm)、12” (300mm)
類型P型、N型、本征型
摻雜劑硼 (B)、磷 (Ph)、未摻雜
取向(1-0-0)、(1-1-1)、(1-1-0)、定制
電阻率 (Ω·cm)1 – 30,000+
厚度 (μm)20 – 2,000+
平邊/缺口無平邊、SEMI主平邊、Jeida平邊、2個(gè)SEMI平邊、缺口
表面處理SSP（單面拋光）、DSP（雙面拋光）

我們暢銷的的產(chǎn)品

為什么選擇我們？

WaferPro：浮區(qū)法硅片的領(lǐng)導(dǎo)者
作為高電阻率硅片的供應(yīng)商，WaferPro 憑借數(shù)十年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，提供無與倫比的高質(zhì)量產(chǎn)品，值得您的信賴。我們的技術(shù)工程師精心優(yōu)化了復(fù)雜的制造工藝，這種工藝幾乎無人能夠復(fù)制，既實(shí)現(xiàn)了超高純度的生長(zhǎng)，又確保了結(jié)構(gòu)的完整性。我們的浮區(qū)法硅片具有以下優(yōu)勢(shì)：

  1. 卓越的均勻性：WaferPro 的浮區(qū)法硅片雜質(zhì)和缺陷密度極低，在關(guān)鍵領(lǐng)域提供一致的性能。
  2. 無與倫比的定制化：我們根據(jù)您的應(yīng)用需求，定制氧含量、電阻率、晶向、厚度和直徑。
  3. 可靠的保證：嚴(yán)格的質(zhì)量控制確保硅片的完整性，提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的功能。

當(dāng)您需要為前沿需求優(yōu)化且可靠的浮區(qū)法硅片時(shí)，請(qǐng)選擇專注于此類硅片制造超過 20 年的專家。WaferPro 擁有技術(shù)專長(zhǎng)和卓越的制造能力，能夠滿足您所有的浮區(qū)法硅片需求。

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