WaferPro,硅熱氧化硅片 (SiO2),2″ 到 300mm硅片,WaferPro進(jìn)口代理,WaferPro 提供高質(zhì)量的硅熱氧化硅片，尺寸范圍從 2″ 到 300mm。我們通過選擇優(yōu)質(zhì)且無缺陷的硅片作為基板，確保滿足您的特定要求，從而在爐中形成高均勻性的熱氧化層。
硅熱氧化硅片 (SiO2)
WaferPro 提供高質(zhì)量的硅熱氧化硅片，尺寸范圍從 2″ 到 300mm。我們通過選擇優(yōu)質(zhì)且無缺陷的硅片作為基板，確保滿足您的特定要求，從而在爐中形成高均勻性的熱氧化層。
在微技術(shù)中，主要的絕緣材料是二氧化硅（SiO2）。為了生成絕緣的氧化層，使用熱氧化工藝，這是最常用的獲得氧化層的方法。該過程在爐中進(jìn)行。
任何數(shù)量的訂單都可以下，最小批量為 25 片硅片。
熱氧化類型
在該方法中，氫氣和高純度氧氣的混合物在約 1000°C 的溫度下燃燒，產(chǎn)生水蒸氣。雖然這種方法可能不會生產(chǎn)出非常高質(zhì)量的最終產(chǎn)品，并且可能僅用作掩膜層，但它的優(yōu)勢在于其比干氧化產(chǎn)生更高的生長速率。
濕法熱氧化（雙面氧化）
- 薄膜厚度：500? – 10μm（雙面）
- 薄膜厚度公差：目標(biāo)值 ±5%
- 薄膜應(yīng)力：-320±50 MPa（壓縮）
濕法熱氧化（單面氧化）
- 薄膜厚度：500? – 10,000?（單面）
- 薄膜厚度公差：目標(biāo)值 ±5%
- 薄膜應(yīng)力：-320±50 MPa（壓縮）
干法熱氧化（雙面氧化）
- 薄膜厚度：100? – 3,000?（雙面）
- 薄膜厚度公差：目標(biāo)值 ±5%
- 薄膜應(yīng)力：-320±50 MPa（壓縮）
干法熱氧化（單面氧化）
- 薄膜厚度：100? – 3,000?（單面）
- 薄膜厚度公差：目標(biāo)值 ±5%
- 薄膜應(yīng)力：-320±50 MPa（壓縮）
干氯化熱氧化與形成氣體退火
- 薄膜厚度：100? – 3,000?（雙面）
- 薄膜厚度公差：目標(biāo)值 ±5%
- 薄膜應(yīng)力：-320±50 MPa（壓縮）
- 處理方式：雙面處理
硅熱氧化硅片的關(guān)鍵應(yīng)用
以下是一些帶有熱氧化層硅片的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域：
集成電路
使用熱氧化硅片制造的柵氧化層、場氧化層、金屬間介質(zhì)層。MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）
熱氧化層為 MEMS 設(shè)備提供出色的電氣隔離。光電子學(xué)
熱氧化用于硅光子學(xué)中的電氣/光學(xué)隔離層。功率器件
熱氧化層為高壓功率電子器件提供介電隔離。輻射硬化
退火后的熱氧化層幫助減輕航天集成電路中的輻射損傷。鈍化
熱氧化層具有優(yōu)越的界面特性，非常適合用于芯片的鈍化層。擴(kuò)散掩膜
作為擴(kuò)散屏障，在器件制造中用于選擇性摻雜/植入步驟。氣體傳感
多孔熱氧化膜的反應(yīng)性氣體滲透性使其能夠用于化學(xué)電阻式傳感器。生物傳感器
使表面能夠進(jìn)行生物功能化，以選擇性地親和目標(biāo)分析物。
定制熱氧化薄膜
WaferPro 提供單面和雙面熱氧化硅片，以滿足各種應(yīng)用需求。
我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是雙面氧化硅片，經(jīng)過控制的熱氧化處理，硅基板兩面形成均勻的二氧化硅層。然而，我們也提供定制的單面氧化硅片，根據(jù)您的特定需求量身定制。這些單面氧化硅片從雙面氧化硅片開始，通過使用緩沖氟化氫酸蝕刻劑選擇性地去除一面二氧化硅層。
這種靈活的氧化硅片制造方式使我們能夠提供少量批次的單面和雙面氧化硅片組合。無論您是需要用于工藝開發(fā)、材料分析，還是大批量生產(chǎn)，我們都能提供適合您應(yīng)用的精確氧化硅片配置。
我們暢銷的產(chǎn)品
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