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絕緣體上硅 (SOI) 晶圓
WaferPro?現提供高質量的絕緣體上硅（SOI）晶圓，進一步擴展了我們全面的硅晶圓產品線。我們頂級的 SOI 晶圓針對從傳感器到功率組件的多種應用進行了優化。
與 CMOS 器件相比，基于 SOI 晶圓制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 結構由三層組成：用于晶體管制造的上層有源器件層、埋氧層（BOX）絕緣層以及底層支撐晶圓層。
埋氧層（BOX）隔離了精密器件，使其免受環境干擾，同時提升了性能。構建在上層器件層中的晶體管推動了 SOI 技術的速度和效率提升。它們支持復雜的節能配置，并減少了宇宙射線或輻射造成的數據丟失。
隨著 SOI 晶圓的加入，WaferPro 現在為追求下一代創新的研發團隊和制造商提供了這一先進的基板選擇。我們的 SOI 晶圓將尖端設計潛力與經過驗證的晶圓制造質量相結合。
SOI 晶圓的類型
定制化是 WaferPro 的重要基石，我們始終盡力滿足您的所有需求。基于這一理念，WaferPro 提供以下類型的 SOI 晶圓：
- 厚膜 SOI 晶圓
此類晶圓的器件厚度為 1μm 至 300μm。 - 超薄 SOI 晶圓
此類晶圓的器件厚度小于 500nm。 - 超高均勻性 SOI 晶圓
器件厚度的均勻性可低至厚膜 SOI 的 ±0.5μm 和超薄 SOI 的 ±10nm。 - 超平坦 SOI 晶圓
此類 SOI 晶圓具有極低的彎曲度（BOW）/翹曲度（WARP）/總厚度變化（TTV），適用于特定應用。
SOI 硅片的主要應用
| 應用領域 | 描述 |
|---|---|
| 低功耗集成電路 | SOI 技術使得制造低泄漏、低功耗的集成電路成為可能，適用于移動設備。 |
| 高速電子器件 | 超高速開關 RF SOI 器件用于 5G、WiFi 6 和雷達通信系統。 |
| 低噪聲放大器 | SOI 硅片非常適合制造超低噪聲的中頻（IF）、射頻（RF）半導體放大器。 |
| 汽車電子 | 堅固耐用的 SOI 芯片滿足汽車電子的可靠性和溫度要求。 |
| 光子學 | SOI 硅片適用于將電子學與光子學集成，用于光學收發器和傳感器。 |
| MEMS | SOI 硅片適合用于特殊的 MEMS 加速度計、陀螺儀等器件的基板。 |
| 航天集成電路 | 優異的輻射硬度和寬溫度耐受性，適用于航天電子器件。 |
| 生物醫學 | 采用 SOI 微機械加工制造的一次性生物傳感器和 DNA 微陣列。 |
| 智能電力 | 將高電壓電力器件與控制邏輯集成在 SOI 硅片上。 |
我們的能力
SOI 硅片具有極高的定制性，參數可以根據您的需求靈活調整。
| 規格 | 參數 |
|---|---|
| SOI 硅片直徑 | 2” (50.8mm)、3” (76.2mm)、4” (100mm)、5” (125mm)、6” (150mm)、8” (200mm) |
| 器件層類型 | P型、N型、本征型 |
| 摻雜劑 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未摻雜 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1) |
| 電阻率 (Ω·cm) | 0.001 – 10,000+ |
| 厚度 (μm) | 0.05 – 300 |
| 均勻性 | ± 10nm、± 0.5μm、± 1μm |
| BOX 層厚度 | 1,000A – 3μm |
| BOX 均勻性 | ≤ ± 5% |
| 承載層類型 | P型、N型、本征型 |
| 摻雜劑 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未摻雜 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1) |
| 電阻率 (Ω·cm) | 0.001 – 10,000+ |
| 厚度 (μm) | 200 – 750 |
| 均勻性 | ≤ ± 15 |
| 表面處理 | SSP（單面拋光）、DSP（雙面拋光） |
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