超薄硅片
我們的超薄硅片厚度為 10-50 微米。這些精致而靈活的晶圓支持微機電系統(MEMS)、高級 CMOS 邏輯等領域的創新新器件和組件。
硅片的主要應用
集成電路(IC)
硅是制造微處理器、存儲芯片、微控制器和其他集成電路的基礎。
傳感器
硅 MEMS 技術允許制造加速度計、陀螺儀、壓力傳感器、化學傳感器
光子學
硅可用于某些光子/光學元件，如調制器、光電探測器和硅光子芯片。
電力電子
特種硅晶片支持制造電動汽車傳動系統中常見的高壓、高頻電力電子設備
分立半導體
硅襯底用于生產分立二極管、晶體管、晶閘管和整流器。
模擬電路
許多用于電源管理的線性/模擬 IC、放大器、數據轉換器都構建在硅晶片上。
微流體
硅微加工技術為芯片實驗室診斷設備塑造通道、泵和閥門。
光電子學
光學傳感器和 LED 和激光器等光源組件依賴于硅材料和器件制造。
光伏
晶體硅片廣泛用于制造用于可再生能源發電的太陽能電池/電池板。
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 類型 | P、N、內在函數 | ||||||
| 摻雜 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 銻 （Sb）， 砷 （As）， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定義 | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 – 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 無平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 個 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP、蝕刻、研磨 | ||||||
SEMI 標準規格
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 直徑 | 50.8 ± 0.38 毫米 | 76.2 ± 0.63 毫米 | 100 ± 0.5 毫米 | 125 ± 0.5 毫米 | 150 ± 0.2 毫米 | 200 ± 0.2 毫米 | 300 ± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 279 ± 25 微米 | 381 ± 25 微米 | 525 ± 20 μm 或 625 ± 20 μm | 625 ± 20 微米 | 675 ± 20 μm 或 625 ± 15 μm | 725 ± 20 微米 | 775 ± 20 微米 |
| 主平地長度 | 15.88 ± 1.65 毫米 | 22.22 ± 3.17 毫米 | 32.5 ± 2.5 毫米 | 42.5 ± 2.5 毫米 | 57.5 ± 2.5 毫米 | 缺口 | 缺口 |
| 次級平鋪長度 | 8 ± 1.65 毫米 | 11.18 ± 1.52 毫米 | 18 ± 2.0 毫米 | 27.5 ± 2.5 毫米 | 37.5 ± 2.5 毫米 | 那 | 那 |
| 主要平地/缺口位置 | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° |
